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一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010798427.6
  • IPC分类号:C04B35/48;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64
  • 申请日期:
    2020-08-11
  • 申请人:
    同济大学
著录项信息
专利名称一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法
申请号CN202010798427.6申请日期2020-08-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-12-11公开/公告号CN112062559A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/48IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人同济大学申请人地址
上海市杨浦区四平路1239号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人同济大学当前权利人同济大学
发明人翟继卫;葛广龙;黄凯威;沈波
代理机构上海科盛知识产权代理有限公司代理人陈天宝
摘要
本发明涉及一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法,该反铁电陶瓷材料的化学通式为PbZrO3,本发明通过在二次球磨过程中在反铁电陶瓷材料粉体中加入Ag2O粉末,通过调控Ag2O含量以及在烧结过程中补偿铅气氛等方法制得致密瓷体。该体系烧结温度低至1050℃,制备的瓷体成瓷性较好,实现了室温下PbZrO3反铁电陶瓷的双电滞回线的获得。与现有技术相比,本发明所制备的介质材料具有储能密度高(8.82J/cm3)、储能效率较高(71.71%)等优点,对于开发高储能密度、可低温烧制的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。

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