根据电阻状态存储多位信息的存储器设备

发明专利有效专利

申请号：
CN200510069790.X
IPC分类号：G11C11/56;G11C11/21;G11C7/00
申请日期：
2005-01-20
申请人：
索尼株式会社

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著录项信息

专利名称	根据电阻状态存储多位信息的存储器设备
申请号	CN200510069790.X	申请日期	2005-01-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2006-01-18	公开/公告号	CN1722302
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/56 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/56 使用具有按级表示的多于两个稳态的存储元件的，如，电压、电流、相位、频率的（由这种形式的多稳态元件组成的计数装置入H03K 25/00，H03K 29/00）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;5;6;;;G;1;1;C;1;1;/;2;1;;;G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	索尼株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼株式会社	当前权利人	索尼株式会社
发明人	对马朋人;荒谷胜久;河内山彰
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄小临;王志森

摘要

本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。

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