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鳍式场效应管的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510555549.1
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092
  • 申请日期:
    2015-09-02
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称鳍式场效应管的形成方法
申请号CN201510555549.1申请日期2015-09-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-03-08公开/公告号CN106486378A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人李勇
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人高静;吴敏
摘要
一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底;形成覆盖第一区域衬底表面、以及第一鳍部顶部和侧壁表面的第一掺杂层;形成覆盖第二区域衬底表面、以及第二鳍部顶部和侧壁表面的第二掺杂层,第二掺杂层与第一掺杂层之间具有交界面;采用无掩膜刻蚀工艺,刻蚀第一掺杂层形成覆盖第一鳍部侧壁表面的第一掺杂侧墙,刻蚀第二掺杂层形成覆盖第二鳍部侧壁表面的第二掺杂侧墙;在衬底表面形成介质层,且介质层顶部低于第一鳍部顶部和第二鳍部顶部;去除高于介质层顶部的第一掺杂侧墙和第二掺杂侧墙;对剩余第一掺杂侧墙和剩余第二掺杂侧墙进行退火处理。本发明改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。

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