一种发光器件及显示器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120105789.2
IPC分类号：H01L33/44;H01L33/62;H01L33/52;H01L25/075;B82Y30/00
申请日期：
2021-01-15
申请人：
佛山市国星光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种发光器件及显示器
申请号	CN202120105789.2	申请日期	2021-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/44 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/44 以涂层为特征的，例如钝化层或防反射涂层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	佛山市国星光电股份有限公司	申请人地址	广东省佛山市禅城区华宝南路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市国星光电股份有限公司	当前权利人	佛山市国星光电股份有限公司
发明人	李碧波;陈红文;秦快;郭恒;赵强;蔡彬
代理机构	广东广盈专利商标事务所（普通合伙）	代理人	李俊

摘要

本实用新型公开了一种发光器件，包括基板、发光芯片、第一透光层、第二透光层和纳米涂层，所述第二透光层的透光率大于第一透光层的透光率；在基板的上方设置有对应于所述发光芯片的参考面，所述参考面高于发光芯片的底面且不高于发光芯片的顶面；第一透光层覆盖所述参考面以下的发光芯片表面，第二透光层覆盖所述参考面以上的发光芯片表面；所述第一透光层和所述第二透光层在所述参考面的位置上紧贴设置；所述纳米涂层覆盖所述第一透光层及第二透光层的外表面和所述基板的侧面。该发光器件通过双层透光层加纳米涂层的设置，减小了发光器件的侧向串光,以提高发光器件的分辨率，并保证了发光器件的发光强度和防杂质性能，具有良好的综合性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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