一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201610031913.9
IPC分类号：H05H1/24
申请日期：
2016-01-18
申请人：
大连民族大学

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专利名称	一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置
申请号	CN201610031913.9	申请日期	2016-01-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-13	公开/公告号	CN105491774A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;2;4查看分类表>
申请人	大连民族大学	申请人地址	辽宁省大连市开发区辽河西路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连民族大学	当前权利人	大连民族大学
发明人	刘东平;彭一峰;夏洋;徐博深;齐志华
代理机构	大连一通专利代理事务所（普通合伙）	代理人	秦少林

摘要

一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置，包括绝缘外壳、进气管、高压电源以及地电极，所述绝缘外壳为圆筒形结构，绝缘外壳一端封口、另一端开口，在封口端相通连接进气管；在绝缘外壳的中部径向安装一块圆板形均流板，在均流板上均匀开设均流孔；在均流板下方安装介质板A和介质板B，且介质板A和介质板B之间留有空间，在介质板A和介质板B表面上下对应的开设插孔，在两块介质板的每组上下对应的插孔中安插固定绝缘介质管，该绝缘介质管为上下开口的管体结构；在介质板A的上表面设有一层导电涂层A，导电涂层A通过导线与高压电源相接；在介质板B的下表面设有一层导电涂层B，导电涂层B通过导线与地电极相接。本发明具有均匀性好、结构精巧、成本低廉等优点。

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