纳米尺度微型温度传感器的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510012319.7
IPC分类号：--
申请日期：
2005-01-13
申请人：
中国电子科技集团公司第十三研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	纳米尺度微型温度传感器的制作方法
申请号	CN200510012319.7	申请日期	2005-01-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-07	公开/公告号	CN1664523
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十三研究所	申请人地址	河北省石家庄市合作路113号38分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人	杨拥军;徐淑静;吕树海
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法，涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本发明制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。

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