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具有受控阻尼性能的软磁衬底的垂直磁记录介质

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610142769.2
  • IPC分类号:G11B5/66;G11B5/667;G11B5/70;G11B5/73
  • 申请日期:
    2006-10-31
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称具有受控阻尼性能的软磁衬底的垂直磁记录介质
申请号CN200610142769.2申请日期2006-10-31
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-08-01公开/公告号CN101009103
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/66IPC分类号G;1;1;B;5;/;6;6;;;G;1;1;B;5;/;6;6;7;;;G;1;1;B;5;/;7;0;;;G;1;1;B;5;/;7;3查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人林志庆;金恩植;吴薰翔
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人韩明星;刘奕晴
摘要
本发明提供了一种垂直磁记录介质。所述垂直磁记录介质包括:软磁衬底;记录层,形成在所述软磁衬底上;和阻尼控制层,用于控制所述软磁衬底的阻尼常数。

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