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场效应晶体管和显示器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110374817.1
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2008-12-02
  • 申请人:
    佳能株式会社
著录项信息
专利名称场效应晶体管和显示器
申请号CN201110374817.1申请日期2008-12-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-03-28公开/公告号CN102394248A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人佳能株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佳能株式会社当前权利人佳能株式会社
发明人岩崎达哉;板垣奈穗
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人杨国权
摘要
本发明涉及场效应晶体管和显示器。所述场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In-Al-O形成。所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。

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