一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910386725.1
IPC分类号：C01G41/02;B82Y40/00;C03C17/34
申请日期：
2019-05-09
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法
申请号	CN201910386725.1	申请日期	2019-05-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-20	公开/公告号	CN110255620A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01G41/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01G 含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物（金属氢化物入C01B 6/00；卤素的含氧酸盐入 C01B 11/00；过氧化物、过氧酸盐入 C01B 15/00；硫代硫酸盐、连二亚硫酸盐、连多硫酸盐入C01B 17/64；含硒或碲的化合物入C01B 19/00；金属与氮的二元化合物入 C01B 21/06；叠氮化物入C01B 21/08；金属氨化物入C01B 21/092；亚硝酸盐入C01B 21/50；磷化物入C01B 25/08；磷的含氧酸盐入 C01B 25/16；碳化物入C01B 32/90；含硅的化合物入 C01B 33/00；含硼的化合物入 C01B 35/00；具有分子筛特性但不具有碱交换特性的化合物入C01B 37/00；具有分子筛和碱交换特性的化合物，如结晶沸石，入C01B 39/00；氰化物入 C01C 3/08；氰酸盐入 C01C 3/14；氰氨盐入 C01C 3/16；硫氰酸盐入 C01C 3/20；发酵或使用酶的方法制备元素或二氧化碳之外的无机化合物入C12P 3/00；从混合物，如矿石，制取作为提炼游离金属的冶金工艺中间化合物的金属化合物入C21B、C22B；通过电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入 C25B） C01G41/00 钨的化合物 C01G41/02 氧化物；氢氧化物〔3〕	IPC分类号	C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;C;0;3;C;1;7;/;3;4查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	赵九蓬;王亚蕾;郑远川;李垚
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	岳泉清

摘要

一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法，它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法：一、制备质子交换反应后的层状材料；二、制备插层反应后的层状材料；三、机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上，再置于干燥箱中干燥，得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。

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