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一种导电孔及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010195261.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H05K3/42;B23K26/382;B23K26/70
  • 申请日期:
    2020-03-19
  • 申请人:
    张宇明
著录项信息
专利名称一种导电孔及其制备方法和应用
申请号CN202010195261.9申请日期2020-03-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-07-07公开/公告号CN111383991A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;5;K;3;/;4;2;;;B;2;3;K;2;6;/;3;8;2;;;B;2;3;K;2;6;/;7;0查看分类表>
申请人张宇明申请人地址
江苏省苏州市昆山市周市镇中乐新村C区36号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人张宇明当前权利人张宇明
发明人张睿桓;张宇明
代理机构北京品源专利代理有限公司代理人巩克栋
摘要
本发明提供了一种导电孔及其制备方法和应用,所述导电孔内表面设置有导电层;其中,所述导电层包括还原氧化石墨烯导电层;所述导电孔的长径比≥1。本发明提供的导电孔可以为不同长径比或不同直径,其能够得到的导电孔长径比可以较大,或者直径可以较小,在纳米级别。并且,本发明提供的制备方法可以一步实现钻孔和形成导电层的同时制备,工艺简单快捷,制备时间极短。

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