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被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN201110164676.0
IPC分类号：C01B35/00;H01L29/167
申请日期：
2011-06-20
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管
申请号	CN201110164676.0	申请日期	2011-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-21	公开/公告号	CN102285660A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B35/00 硼；其化合物（甲硼烷，乙硼烷，金属硼氢化物或其加成配合物入C01B 6/00；过硼酸盐入 C01B 15/12；含氮的二元化合物入 C01B 21/06；磷化物入 C01B 25/08；碳化物入C01B 32/991）〔1，2，2006.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;7查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李晟熏;徐顺爱;禹轮成;郑现钟;许镇盛
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	金拟粲

摘要

提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

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