编程相变材料存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN02829578.1
IPC分类号：G11C16/10;G11C11/56
申请日期：
2002-09-11
申请人：
奥翁尼克斯公司

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著录项信息

专利名称	编程相变材料存储器
申请号	CN02829578.1	申请日期	2002-09-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1669091
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人	奥翁尼克斯公司	申请人地址	美国密执安州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥翁尼克斯公司	当前权利人	奥翁尼克斯公司
发明人	T·A·劳里
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;张志醒

摘要

存储器件具有组成单元(604)，组成单元(604)包括用来存储单元的数据的结构相变材料。这种材料可以是硫族化合物合金。将第一脉冲(204)加到单元(604)上，使材料保持在第一状态，例如复位状态，此时材料为非晶态且具有较高的电阻率。然后，将第二脉冲(208)加到单元(604)上，使材料从第一状态改变为第二个不同的状态，例如置位状态，此时材料为结晶态且具有较低的电阻率。所述第二脉冲(208)具有一般的三角形状，而不是矩形脉冲。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	US3922648A	暂无	1974-08-19	Method and means for preventing degradation of threshold voltage of filament-forming memory semiconductor device失效专利	ENERGY CONVERSION DEVICES INC
2	US3448302A	暂无	1966-06-16	Operating circuit for phase change memory devices失效专利	ITT
3	GB1372414A	暂无	1971-11-26	SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ARRANGEMENTS未知	MARCONI CO LTD
4	US3980505A	暂无	1975-05-22	Process of making a filament-type memory semiconductor device失效专利	William D. Buckley

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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