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一种多孔二氧化硅的制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410843300.6
  • IPC分类号:C01B33/18
  • 申请日期:
    2014-12-29
  • 申请人:
    上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种多孔二氧化硅的制备方法及其应用
申请号CN201410843300.6申请日期2014-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104556071A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/18IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;1;8查看分类表>
申请人上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海新安纳电子科技有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人上海新安纳电子科技有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人雷博;刘卫丽
代理机构上海光华专利事务所代理人许骅
摘要
本发明提供一种多孔二氧化硅的制备方法,包括如下步骤:1)以水玻璃为原料,通过离子交换、晶种制备、颗粒生长后,制得二氧化硅球核;2)在二氧化硅球核中,加入模板剂,并添加硅源,混合搅拌后,从而在二氧化硅球核上生长出多孔壳层;3)将包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒,经过滤、洗涤、干燥、煅烧或有机溶剂萃取,制得多孔二氧化硅颗粒。本发明提供的一种多孔二氧化硅的制备方法,能够制备出具备极高的比表面积,良好的化学活性及吸附特性的多孔二氧化硅颗粒,可应用于化学机械抛光液磨料,化工催化剂,以及药物载体等领域,且适用于大规模工业生产的需求。

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