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一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810447031.X
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2018-05-11
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第五十五研究所
著录项信息
专利名称一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法
申请号CN201810447031.X申请日期2018-05-11
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-10-12公开/公告号CN108648988A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第五十五研究所申请人地址
江苏省南京市秦淮区中山东路524号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所当前权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人李赟;李忠辉
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人吴海燕
摘要
本发明公开了一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法,利用氯基气体对p型掺杂的抑制作用,采用非氯基工艺气体生长p型外延层,采用氯基工艺气体生长n型外延层,在p型向n型外延层切换过程中,加入氯化氢辅助反应室高温处理,在n型向p型外延层切换过程中,加入p型掺杂源辅助的反应室高温处理。在保障高效p型掺杂的同时,又能够有效降低n‑p复合结构中n型外延层中的p型掺杂记忆效应,可以降低碳化硅多层结构中p型记忆效应,提高后续研制器件的性能及可靠性,为碳化硅多层结构外延材料的批量生产提供技术支持,具有较大的推广价值。

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