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等离子体处理装置和等离子体处理方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110435856.8
  • IPC分类号:H01J37/32
  • 申请日期:
    2010-03-26
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称等离子体处理装置和等离子体处理方法
申请号CN201110435856.8申请日期2010-03-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-06-27公开/公告号CN102522304A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本,东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人舆水地盐;山泽阳平
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法,其能够独立于电极温度地任意、简便且高效地对以覆盖被处理基板的周围的方式安装于下部电极的聚焦环进行加热。在该等离子体蚀刻装置中,在未向腔室(10)的处理空间供给处理气体时,不产生高频放电,等离子体生成用负载实质上不存在。在该情况下,聚焦环加热用负载代替等离子体生成用负载,成为对于高频电源(28)的实质上的负载,匹配器(32A)动作,使得该负载与高频电源(28)阻抗匹配。这里,从基座(12)经由聚焦环(36)和电介质(44)到达接地电位的筒状支承部件(16)的高频传送路径作为聚焦环加热用负载被利用。

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