一种二维非层状β相硫化铟连续薄膜的制备方法和光探测器

发明专利无效专利

申请号：
CN202010311816.1
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/112;H01L31/032;C23C14/24;C23C14/06
申请日期：
2020-04-20
申请人：
广东工业大学

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著录项信息

专利名称	一种二维非层状β相硫化铟连续薄膜的制备方法和光探测器
申请号	CN202010311816.1	申请日期	2020-04-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-07	公开/公告号	CN111509086A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	广东工业大学	申请人地址	广东省广州市越秀区东风东路729号大院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东工业大学	当前权利人	广东工业大学
发明人	余代者;魏爱香
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明属于二维半导体薄膜技术领域，尤其涉及一种二维非层状β相硫化铟连续薄膜的制备方法和光探测器。本发明提供了一种二维非层状β‑In2S3连续薄膜的制备方法，以水平管式炉为反应炉，以In2S3粉末为原料，以惰性气体或氮气为载气，以氟金云母片为衬底，基于范德瓦尔外延生长技术，通过调节惰性气体/或氮气的流量、In2S3粉末与氟金云母片之间的距离，In2S3粉末的蒸发温度和蒸发时间制备大面积二维非层状β‑In2S3连续薄膜。测试结果表明，本发明制备方法中，薄膜能够连续生长，面积可达到厘米级的尺寸，能够获得稳定相、大面积的二维非层状β‑In2S3连续薄膜。将该二维非层状β‑In2S3连续薄膜转移到SiO2/Si衬底之后，制备场效应晶体管，该场效应晶体管可用作光探测器。

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