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氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的极性反转制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810534618.4
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L21/335;H01L29/20
  • 申请日期:
    2018-05-29
  • 申请人:
    黄知澍
著录项信息
专利名称氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的极性反转制作方法
申请号CN201810534618.4申请日期2018-05-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-12-14公开/公告号CN109004033A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0查看分类表>
申请人黄知澍申请人地址
中国台湾台北市大同区103凉州街2号6F-1 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黄知澍当前权利人黄知澍
发明人黄知澍
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司代理人寿宁;张华辉
摘要
本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态,此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处;尔后,藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件,此时,经过极性反转制程步骤(也就是绝缘保护介电层所产生的应力)后,二维电子气从该氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处上升至该氮化镓通道层与该氮化镓铝(x)层的接面处。

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