共享字线的无触点SONOS分栅式闪存

发明专利有效专利

申请号：
CN201010172658.2
IPC分类号：H01L27/115
申请日期：
2010-05-12
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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专利名称	共享字线的无触点SONOS分栅式闪存
申请号	CN201010172658.2	申请日期	2010-05-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-20	公开/公告号	CN101866928A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	曹子贵
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提出的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。同时采用无触点的设计，使得闪存器件具有尺寸小，工艺与CMOS传统工艺兼容的特点，有利于器件尺寸进一步缩小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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