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激光熔覆快速成形层高测量装置与闭环控制方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510176039.3
  • IPC分类号:G01B11/06
  • 申请日期:
    2015-04-14
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称激光熔覆快速成形层高测量装置与闭环控制方法
申请号CN201510176039.3申请日期2015-04-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-07-29公开/公告号CN104807410A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B11/06IPC分类号G;0;1;B;1;1;/;0;6查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人石拓;魏正英;卢秉恒;王吉洁;王伊卿
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人闵岳峰
摘要
本发明公开了一种激光熔覆快速成形层高测量装置与闭环控制方法,该测量装置包括三个激光2D位移传感器、控制单元、上位机以及显示器;该闭环控制方法中,三个激光2D位移传感器相互成120°夹角并环绕安装在熔覆头的周围,用于测量金属熔池周围封闭的激光等边三角形边线上的熔覆层高度;且每个激光2D位移传感器配有传感器控制器,用于其上的CMOS图像信号转化为高度数据,并通过以太网传输给控制单元;控制单元,用于处理三个激光2D位移传感器采集的数据,计算出熔覆层高度值并反馈给上位机;显示器,用于实时显示三个激光2D位移传感器测量的高度数据与控制单元处理后的层高高度数据。本发明实现了熔覆头单层提升量的实时精确控制。

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