等离子体化学气相沉积装置以及成膜方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610515818.6
IPC分类号：C23C16/509;C23C16/27;C23C16/32;C23C16/40
申请日期：
2016-07-01
申请人：
友技科株式会社

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著录项信息

专利名称	等离子体化学气相沉积装置以及成膜方法
申请号	CN201610515818.6	申请日期	2016-07-01
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-01-18	公开/公告号	CN106337170A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/509 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕 C23C16/505 采用射频放电〔7〕 C23C16/509 采用内电极〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;0;9;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;3;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人	友技科株式会社	申请人地址	日本千叶县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	前进材料科技株式会社	当前权利人	前进材料科技株式会社
发明人	铃木光博;阿部浩二
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	刘慧群

摘要

本发明的课题在于提供一种能够在抑制异常放电的同时使高硬度的膜成膜的等离子体CVD装置。为此，本发明的一方式是一种等离子体CVD装置，具备：腔室(11)；高频电源(6)，其提供50～500kHz的高频输出；第1电极(14)，其配置在所述腔室内，与所述高频电源电连接，用于配置基材；第2电极(15)，其配置在所述腔室内，与所述高频电源电连接，与所述第1电极对置；气体导入口(20)，其向所述腔室内导入原料气体；和控制部，其进行控制使得向所述第1电极以及所述第2电极提供所述高频输出。

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