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分裂栅存储器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110147095.6
IPC分类号：H01L29/43;H01L29/788
申请日期：
2011-06-01
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	分裂栅存储器及其制造方法
申请号	CN201110147095.6	申请日期	2011-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-05	公开/公告号	CN102810560A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/43 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明;王宝筠

摘要

一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦除操作电压有效降低，擦除操作速度得到有效提高。

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