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多晶硅的清洗方法、制造方法以及清洗装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201980021525.4
IPC分类号：C01B33/02;C30B29/06
申请日期：
2019-03-25
申请人：
株式会社德山

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅的清洗方法、制造方法以及清洗装置
申请号	CN201980021525.4	申请日期	2019-03-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-24	公开/公告号	CN111989291A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	株式会社德山	申请人地址	日本山口县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社德山	当前权利人	株式会社德山
发明人	田崎博之;川口一博
代理机构	北京信诺创成知识产权代理有限公司	代理人	尹吉伟

摘要

本发明使用少量的蚀刻除去多晶硅中包含的污染物，实现高纯度的多晶硅。使用使氟硝酸与多晶硅接触的第一清洗工序和使含氟酸的非氧化性药水与经过所述第一清洗工序的多晶硅接触的第二清洗工序，来清洗多晶硅。

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