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一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器及其使用方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310600206.3
  • IPC分类号:G01R33/06;G01B11/16
  • 申请日期:
    2013-11-25
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器及其使用方法
申请号CN201310600206.3申请日期2013-11-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-03-19公开/公告号CN103645447A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R33/06IPC分类号G;0;1;R;3;3;/;0;6;;;G;0;1;B;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人李川;赵成均;王敏吉;陈富云;庄君刚;赵振刚;谢涛
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器及其使用方法,属于光电子测量技术领域。本发明包括直流异步电机、电机转轴、换向器、电刷、矩形线圈、桥式整流二极管、滤波电容、保护电阻、光纤Bragg光栅、压电陶瓷、粘接点、外接引出光纤;其中直流异步电机、电机转轴、换向器和矩形线圈固定在一起,电刷与换向器相接触且电刷的触点通过导线与桥式整流二极管相连,桥式整流二极管的引出端与滤波电容、保护电阻相连,光纤Bragg光栅通过两个粘接点粘接在压电陶瓷上,并与外接引出光纤相连。本发明提高了压电陶瓷的形变量,扩大了磁场的测量范围;抗干扰能力强;结构简单,使用方便。

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