一种聚合物太阳能电池阳极表面修饰方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910085766.3
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/42
申请日期：
2009-05-31
申请人：
中国科学院化学研究所

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著录项信息

专利名称	一种聚合物太阳能电池阳极表面修饰方法
申请号	CN200910085766.3	申请日期	2009-05-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101901874A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	刘瑞刚;刘伟丽;王文;黄勇
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅;任凤华

摘要

本发明公开了一种聚合物太阳能电池阳极表面修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在氧化铟锡导电阳极上旋涂聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)掺杂聚苯乙烯磺酸溶液，干燥后得到聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)掺杂聚苯乙烯磺酸层，然后在聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)掺杂聚苯乙烯磺酸层上设置光电活性层；2)将步骤1)处理得到的阳极置于H2S、HCl和H2O的混合气体中，保持10-200分钟；所述H2S、HCl和H2O的体积比为1∶(0.01-0.3)∶(0.001-0.01)。利用本发明所提供的方法修饰ITO阳极，可以在导电阳极ITO表面形成一层厚度薄且粗糙度低的In2S3层，该修饰层具有较高的功函数，此方法能够提高聚合物太阳能电池的开路电压，从而提高太阳能电池的光电转化效率。

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