一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜

发明专利有效专利

申请号：
CN201210052305.8
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/02;H01L21/268
申请日期：
2012-03-01
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜
申请号	CN201210052305.8	申请日期	2012-03-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102709160A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;8查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	田雪雁;龙春平;姚江峰
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	许静;黄灿

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜，用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括：在基板上形成一缓冲层；在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的籽晶层；在所述籽晶层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火。采用本发明提供的低温多晶硅薄膜的制作方法制作的低温多晶硅薄膜，其晶粒尺寸较大，分布均匀，并且具有非常低的表面粗糙度，从而解决了应用于低温多晶硅显示器背板中，迁移率较低，薄膜晶体管的漏电流较大，迁移率及阈值电压不均匀性的问题。

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