中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99114961.0
IPC分类号：--
申请日期：
1999-06-25
申请人：
四川大学;南通海星电子有限公司

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著录项信息

专利名称	中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法
申请号	CN99114961.0	申请日期	1999-06-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-04-25	公开/公告号	CN1292434
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	四川大学;南通海星电子有限公司	申请人地址	四川省成都市磨子桥变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学,南通海星电子有限公司	当前权利人	四川大学,南通海星电子有限公司
发明人	阎康平;严季新
代理机构	成都科海专利事务有限责任公司	代理人	吕建平

摘要

本发明是一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括电化学扩面侵蚀和化学扩面侵蚀，电化学侵蚀是在含有硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流。化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，溶液中铜离子的含量为10～200ppm。本发明具有工艺、设备简单，侵蚀反应速度快，生产效率高，生产制备的铝箔具有电容量高，强度大，质量和电容量稳定等多方面的优点。

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