半导体装置及其制法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710104401.1
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482
申请日期：
2007-04-19
申请人：
矽品精密工业股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制法
申请号	CN200710104401.1	申请日期	2007-04-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-22	公开/公告号	CN101290894
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;2查看分类表>
申请人	矽品精密工业股份有限公司	申请人地址	中国台湾台中县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	矽品精密工业股份有限公司	当前权利人	矽品精密工业股份有限公司
发明人	黄建屏;张锦煌;黄致明
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

一种半导体装置及其制法，将包含有多个芯片的晶圆接置于具有绝缘层、多个导电线路及底板的承载板上，并对应相邻芯片主动面的焊垫间形成外露出该导电线路的第一凹槽，并于该第一凹槽内填覆绝缘胶层，再于该绝缘胶层形成第二凹槽，且该第二凹槽深度至少至该承载板上的导电线路位置，从而于该第二凹槽处形成电性连接相邻芯片主动面焊垫及该导电线路的金属层，接着沿各该芯片间进行切割以分离各该芯片，并于该芯片上贴覆第一胶片，再移除该承载板的底板以于该导电线路及该绝缘层上贴覆第二胶片，并移除该第一胶片以将各该芯片由该第二胶片上取下，以形成多个半导体装置。后续可利用形成于该些半导体装置的金属层进行相互堆叠及电性连接，以构成多芯片的堆叠结构。

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