磁控溅射磁体部件、磁控溅射装置和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200780021242.7
IPC分类号：C23C14/35
申请日期：
2007-06-06
申请人：
芝浦机械电子株式会社

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著录项信息

专利名称	磁控溅射磁体部件、磁控溅射装置和方法
申请号	CN200780021242.7	申请日期	2007-06-06
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-24	公开/公告号	CN101466862
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	芝浦机械电子株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芝浦机械电子株式会社	当前权利人	芝浦机械电子株式会社
发明人	宇都宫信明;伊藤昭彦
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

本发明的磁控溅射磁体部件可以沿大致平行于目标的溅射表面的方向运动并且朝向该目标，所述磁控溅射磁体部件包括：内侧磁体，沿大致垂直于所述运动方向的方向延伸，所述内侧磁体的N极或S极与所述目标相对；外侧磁体，其围绕所述内侧磁体并和所示内侧磁体有间隔，所述外侧磁体和所述目标相对的磁极与所述内侧磁体的和所述目标相对的磁极相反；以及非磁性部件，设置在所述内侧磁体和所述外侧磁体之间并支持所述内侧磁体和所述外侧磁体。所述内侧磁体和所述外侧磁体和所述目标相对的磁极是可反转的。可以降低目标端部电子密度的不均匀性，并且使此处的等离子体密度均匀。因而，可以使目标端部的溅射率均匀，可以降低成膜对象上成膜分布的不均匀性。此外，可以降低目标蚀刻的不均匀性以改善目标利用效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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