单模光子晶体VCSEL

发明专利有效专利

申请号：
CN200580040641.9
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2005-11-29
申请人：
阿赖特科技公司

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著录项信息

专利名称	单模光子晶体VCSEL
申请号	CN200580040641.9	申请日期	2005-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-19	公开/公告号	CN101091293
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	阿赖特科技公司	申请人地址	丹麦法鲁姆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	阿赖特光子有限公司	当前权利人	阿赖特光子有限公司
发明人	达恩·比克达尔;斯文·比朔夫;迈克尔·尤尔;芒努斯·哈尔·马森;弗朗西斯·帕斯卡尔·罗姆斯塔德
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	曾贤伟

摘要

本说明书揭示了具有单模输出和可选的单偏振输出的VCSEL(垂直腔表面发射激光器)器件。该器件通过在部分VCSEL顶部镜片中的浅蚀刻由根据PBG(光子带隙)效应的横向模限制给出。PBG区域环绕特征为大的纵向模损耗的MS区域(模整形区域)。MS区域环绕特征为低纵向模损耗的LA区域(光孔径区域)。MS区域不对到LA孔径的横向模限制作出贡献，横向模由PBG区域限制。从而对于单基模工作优化了VCSEL。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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