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具有薄膜晶体管的器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN00104152.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1994-06-10
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称具有薄膜晶体管的器件
申请号CN00104152.5申请日期1994-06-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-07-24公开/公告号CN1360349
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人宫永昭治;大谷久;寺本聪
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张志醒
摘要
在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

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