微波处理装置

1.一种微波处理装置，是利用微波处理对象物的微波处理装置，其特征在于，包括：
产生微波的微波发生部；
将所述微波发生部产生的微波向对象物发射的至少第一和第二发射部；
对来自所述第一和第二发射部的反射功率进行检测的检测部；以及
控制所述微波发生部的控制部，
构成为使得所述第一和第二发射部发射的微波的相位差发生变化，
所述控制部改变所述微波发生部产生的微波的频率，同时以第一输出功率从所述第一和第二发射部向对象物发射微波，根据所述检测部检测出的反射功率为最小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率，并以第二输出功率由所述微波发生部产生所述决定的处理频率的微波，
所述第一输出功率小于所述第二输出功率。
2.一种微波处理装置，是利用微波处理对象物的微波处理装置，其特征在于，包括：
产生微波的微波发生部；
将所述微波发生部产生的微波向对象物发射的至少第一和第二发射部；
使得所述第一和第二发射部发射的微波的相位差改变的第一变相部；
对来自所述第一和第二发射部的反射功率进行检测的检测部；以及
控制所述微波发生部的控制部，
所述第一和第二发射部配置成使得发射的微波互相干涉，
所述控制部改变所述微波发生部产生的微波的频率，同时以第一输出功率从所述第一和第二发射部向对象物发射微波，根据所述检测部检测出的反射功率为最小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率，并以第二输出功率由所述微波发生部产生所述决定的处理频率的微波，
所述第一输出功率小于所述第二输出功率。
3.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
所述第一和第二发射部设置成彼此相对。
4.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
所述控制部在对象物的处理前，改变所述微波发生部产生的微波的频率，同时以第一输出功率从所述第一和第二发射部向对象物发射微波，根据所述检测部检测出的反射功率为最小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。
5.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
所述控制部在对象物的处理中，改变所述微波发生部产生的微波的频率，同时以第一输出功率从所述第一和第二发射部向对象物发射微波，根据所述检测部检测出的反射功率为最小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。
6.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
所述第一发射部沿第一方向发射微波，所述第二发射部沿与第一方向相反的第二方向发射微波，
所述微波处理装置还包括第三发射部，该第三发射部沿与所述第一方向交叉的第三方向向对象物发射所述微波发生部产生的微波。
7.如权利要求6所述的微波处理装置，其特征在于，
所述微波发生部包括第一和第二微波发生部，
所述第一和第二发射部向对象物发射由所述第一微波发生部产生的微波，所述第三发射部向对象物发射由所述第二微波发生部产生的微波。
8.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
所述第一发射部沿第一方向发射微波，所述第二发射部沿与第一方向相反的第二方向发射微波，
所述微波处理装置还包括：
第三发射部，该第三发射部沿与所述第一方向交叉的第三方向向对象物发射所述微波发生部产生的微波；以及
第四发射部，该第四发射部沿与所述第三方向相反的第四方向向对象物发射所述微波发生部产生的微波，
所述第三和第四发射部设置成彼此相对。
9.如权利要求8所述的微波处理装置，其特征在于，还包括使得所述第三和第四发射部发射的微波的相位差改变的第二变相部。
10.如权利要求9所述的微波处理装置，其特征在于，
所述微波发生部包括第一和第二微波发生部，
所述第一和第二发射部向对象物发射由所述第一微波发生部产生的微波，所述第三和第四发射部向对象物发射由所述第二微波发生部产生的微波。
11.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于，
对象物的处理为加热处理，
所述微波处理装置还包括为了加热而容纳对象物的加热室。

微波处理装置 \n技术领域\n[0001] 本发明涉及利用微波对对象物进行处理的微波处理装置。 \n背景技术\n[0002] 作为利用微波来处理对象物的装置有微波炉。微波炉中，由微波发生装置产生的微波发射到金属制的加热室内部。由此，配置于加热室内部的对象物利用微波进行加热。 [0003] 以往，作为微波炉的微波发生装置，采用磁控管。在这种情况下，由磁控管产生的微波通过波导管供给加热室内部。 \n[0004] 这里，当加热室内部的微波的电磁波分布不均匀时，就无法均匀加热对象物。因此，提出了将磁控管产生的微波通过第一和第二波导管来供给加热室内部的微波炉(参照专利文献1)。 \n[0005] 专利文献1：日本专利特开2004-47322号公报 \n发明内容\n[0006] 将磁控管产生的微波供给加热室内部用的波导管，是由中空的金属管形成。因而，专利文献1的微波炉中，需要多个形成第一和第二波导管的金属管。从而使得微波炉大型化。 \n[0007] 另外，专利文献1中记载了将磁控管产生的微波、从设置成能够旋转的多个发射天线发射的要点。在这种情况下，为了确保各发射天线的旋转空间，微波炉也会大型化。 [0008] 本发明的目的在于提供一种以所希望的电磁波分布向对象物供给微波、并且实现充分小型化的微波处理装置。 \n[0009] (1)按照本发明的一个方面的微波处理装置，是利用微波对对象物进行处理的微波处理装置，包括：产生微波的微波发生部；以及将微波发生部产生的微波向对象物发射的至少第一和第二发射部，构成为使得第一和第二发射部 发射的微波的相位差发生变化。 [0010] 该微波处理装置中，由微波发生部产生的微波从第一和第二发射部向对象物发射。由此，从第一发射部发射的微波与从第二发射部发射的微波在对象物周边发生干涉。 [0011] 这里，当改变从第一和第二发射部发射的微波的相位差时，从第一和第二发射部发射的微波的干涉状态就发生变化。从而，对象物周边的电磁波分布发生变化。因而，能够以所希望的电磁波分布向对象物供给微波。其结果，能够对对象物进行均匀处理，还能对对象物所希望的部分进行集中处理。 \n[0012] 在这种情况下，由于不需要用于移动对象物以及第一和第二发射部的机构和空间，因此能够实现微波处理装置的充分小型化和低成本化。 \n[0013] (2)按照本发明的另一个方面的微波处理装置，是利用微波对对象物进行处理的微波处理装置，包括：产生微波的微波发生部；将微波发生部产生的微波向对象物发射的至少第一和第二发射部；以及使得第一和第二发射部发射的微波的相位差改变的第一变相部，将第一和第二发射部配置成使得发射的微波互相干涉。 \n[0014] 该微波处理装置中，由微波发生部产生的微波从第一和第二发射部向对象物发射。 \n[0015] 第一和第二发射部配置成使得发射的微波互相干涉。由此，从第一发射部发射的微波与从第二发射部发射的微波发生干涉。 \n[0016] 第一变相部使第一和第二发射部发射的微波的相位差发生变化。从而，第一和第二发射部发射的微波的干涉状态发生变化。由此，对象物周边的电磁波分布发生变化。因而，能够以所希望的电磁波分布向对象物供给微波。其结果，能够对对象物进行均匀处理，或者能够对对象物所希望的部分进行集中处理。 \n[0017] 在这种情况下，由于不需要用于移动对象物以及第一和第二发射部的机构和空间，因此能够实现微波处理装置的充分小型化和低成本化。 \n[0018] (3)第一和第二发射部也可以设置成彼此相对。 \n[0019] 在这种情况下，通过将对象物配置在第一发射部和第二发射部之间，可以确实地从第一和第二发射部向对象物发射微波。另外，由于第一和第二发射部彼此相对，因此，从第一发射部发射的微波和从第二发射部发射的微波确实发生干涉。 \n[0020] (4)微波处理装置还可以包括：对来自第一和第二发射部的反射功率进 行检测的检测部；以及对微波发生部进行控制的控制部，控制部改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波，根据检测部检测出的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率，并由微波发生部产生所决定的处理频率的微波。 \n[0021] 在这种情况下，改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波。此时，根据检测部检测出的、来自第一和第二发射部的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。由微波发生部产生所决定的处理频率的微波。 \n[0022] 这样，由于根据来自第一和第二发射部的反射功率为最小或极小的频率来决定处理频率，并将该处理频率的微波用于对象物的处理，因此能够降低处理对象物时产生的反射功率。从而，提高微波处理装置的功率转换效率。 \n[0023] 另外，即使因反射功率而引起微波发生部发热时，也可以降低发热量。其结果，防止因反射功率而引起的微波发生部的损坏和故障。 \n[0024] (5)控制部也可以在处理对象物之前，改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波，根据检测部检测出的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。 \n[0025] 在这种情况下，处理对象物之前，改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波。此时，根据检测部检测出的、来自第一和第二发射部的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。 [0026] 由此，在开始处理对象物时，可以由微波发生部产生所决定的处理频率的微波。从而，能够降低开始处理对象物时产生的反射功率。其结果，防止因反射功率而引起的微波发生部的损坏和故障。 \n[0027] (6)控制部也可以在处理对象物过程中，改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波，根据检测部检测出的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。 \n[0028] 在这种情况下，处理对象物过程中，改变微波发生部产生的微波的频率，同时从第一和第二发射部向对象物发射微波。此时，根据检测部检测出的、来自第一和第二发射部的反射功率为最小或极小的频率，决定处理对象物用的微波的频率作为处理频率。 [0029] 由此，即使是在处理对象物过程中，例如每经过预定的时间、或反射功率 超过预先确定的阈值时，也可以用所决定的处理频率的微波对对象物进行处理。由此，进行对象物的处理，同时抑制随时间变化的反射功率的增加。从而，提高微波处理装置的功率转换效率。 \n[0030] 另外，即使因反射功率而引起微波发生部发热时，也可以降低发热量。其结果，防止因反射功率而引起的微波发生部的损坏和故障。 \n[0031] (7)也可以是第一发射部沿第一方向发射微波，第二发射部沿与第一方向相反的第二方向发射微波，微波处理装置还可以包括第三发射部，该第三发射部沿与第一方向交叉的第三方向向对象物发射微波发生部产生的微波。 \n[0032] 在这种情况下，从第一发射部沿第一方向向对象物发射微波，从第二发射部沿与第一方向相反的第二方向向对象物发射微波。另外，从第三发射部沿与第一方向交叉的第三方向向对象物发射微波。 \n[0033] 这样，由于可以从不同的第一、第二和第三方向向对象物发射微波，因此，能够有效地加热对象物，而与微波的方向性无关。 \n[0034] (8)微波发生部也可以包括第一和第二微波发生部，第一和第二发射部向对象物发射由第一微波发生部产生的微波，第三发射部向对象物发射由第二微波发生部产生的微波。 \n[0035] 在这种情况下，由于公用的第一微波发生部产生的微波从第一和第二发射部向对象物发射，因此可以容易地用第一变相部改变从第一和第二发射部发射的微波的相位差。 [0036] 另外，由于第二微波发生部产生的微波从第三发射部向对象物发射，因此能够分别独立地控制从第三发射部发射的微波的频率、与从第一和第二发射部发射的微波的频率。从而，能够充分降低处理对象物时产生的反射功率。其结果，充分地提高了微波处理装置的功率转换效率。 \n[0037] (9)也可以是第一发射部沿第一方向发射微波，第二发射部沿与第一方向相反的第二方向发射微波，微波处理装置还可以包括：第三发射部，该第三发射部沿与第一方向交叉的第三方向向对象物发射微波发生部产生的微波；以及第四发射部，该第四发射部沿与第三方向相反的第四方向向对象物发射微波发生部产生的微波，第三和第四发射部设置成彼此相对。 \n[0038] 在这种情况下，从第一发射部沿第一方向向对象物发射微波，从第二发射部沿与第一方向相反的第二方向向对象物发射微波。另外，从第三发射部沿与第一方向交叉的第三方向向对象物发射微波，从第四发射部沿与第三方向相反 的第四方向向对象物发射微波。 \n[0039] 这样，由于可以从不同的第一、第二、第三和第四方向向对象物发射，因此，能够更加有效地加热对象物，而与微波的方向性无关。 \n[0040] (10)微波处理装置还可以包括使得第三和第四发射部发射的微波的相位差改变的第二变相部。 \n[0041] 通过改变彼此相对的第三和第四发射部发射的微波的相位差，可以改变第三发射部和第四发射部之间的电磁波分布。因而，能够以所希望的电磁波分布向对象物供给微波。\n其结果，能够对对象物进行均匀处理，或者对对象物所希望的部分进行集中处理。 [0042] 在这种情况下，由于不需要用于移动对象物以及第一、第二、第三和第四发射部的机构和空间，因此能够实现微波处理装置的充分小型化和低成本化。 \n[0043] (11)微波发生部也可以包括第一和第二微波发生部，第一和第二发射部向对象物发射由第一微波发生部产生的微波，第三和第四发射部向对象物发射由第二微波发生部产生的微波。 \n[0044] 在这种情况下，由于公用的第一微波发生部产生的微波从第一和第二发射部向对象物发射，因此可以容易地用第一变相部改变从第一和第二发射部发射的微波的相位差。 [0045] 另外，由于公用的第二微波发生部产生的微波从第三和第四发射部向对象物发射，因此可以容易地用第二变相部改变从第三和第四发射部发射的微波的相位差。 [0046] 从而，能够分别独立地控制第一和第二发射部发射的微波的频率、与第三和第四发射部发射的微波的频率。 \n[0047] 从而，能够更加充分地降低处理对象物时产生的反射功率。其结果，更加充分地提高了微波处理装置的功率转换效率。 \n[0048] (12)对象物的处理是加热处理，微波处理装置还可以包括为了加热而容纳对象物的加热室。在这种情况下，通过将对象物容纳于加热室的内部，可以进行对象物的加热处理。 \n[0049] 根据本发明，通过改变彼此相对的第一和第二发射部发射的微波的相位差，可以改变第一发射部和第二发射部之间的电磁波分布。因而，能够以所希望的电磁波分布向对象物供给微波。其结果，能够对对象物进行均匀处理，或者对对象物所希望的部分进行集中处理。 \n[0050] 在这种情况下，由于不需要用于移动对象物以及第一和第二发射部的机构和空间，因此能够实现微波处理装置的充分小型化和低成本化。 \n附图说明\n[0051] 图1是表示第一实施方式的微波炉结构的框图。 \n[0052] 图2是构成图1的微波炉的微波发生装置的大概侧面图。 \n[0053] 图3是图2的微波发生装置的一部分电路结构的示意图。 \n[0054] 图4是表示图1的微机控制步骤的流程图。 \n[0055] 图5是表示图1的微机控制步骤的流程图。 \n[0056] 图6是用于说明从图1的天线发射的微波相互干涉的图。 \n[0057] 图7是用于说明从图1的天线发射的微波的相位差发生变化时的微波相互干涉的图。 \n[0058] 图8是表示调查从相对的两个天线发射的微波的相位差、与壳体内部的电磁波分布的关系用的实验内容及其实验结果的图。 \n[0059] 图9是表示调查从相对的两个天线发射的微波的相位差、与壳体内部的电磁波分布的关系用的实验内容及其实验结果的图。 \n[0060] 图10是表示调查从相对的两个天线发射的微波的相位差、与壳体内部的电磁波分布的关系用的实验内容及其实验结果的图。 \n[0061] 图11是用于说明微波的频率扫描和频率提取处理的具体例子的图。 [0062] 图12是表示第二实施方式的微波炉结构的框图。 \n[0063] 图13是表示第二实施方式的微波炉结构的框图。 \n[0064] 图14是表示第三实施方式的微波炉结构的框图。 \n[0065] 图15是表示第四实施方式的微波炉结构的框图。 \n具体实施方式\n[0066] 下面，说明本发明的一个实施方式的微波处理装置。在以下的说明中，作为微波处理装置的一个例子，对微波炉进行说明。 \n[0067] 第一实施方式 \n[0068] (1-1)微波炉的结构和工作概况 \n[0069] 图1是表示第一实施方式的微波炉结构的框图。如图1所示，本实施方式的微波炉1包括微波发生装置100和壳体501。壳体501内设置有三个天线A1、A2、 A3。 [0070] 本实施方式中，壳体501内的三个天线A1、A2、A3中的两个天线A1、A2配置成在水平方向上彼此相对。 \n[0071] 微波发生装置100包括：电压供给部200；微波发生部300；功率分配器350；具有同一结构的三个变相器351a、351b、351c；具有同一结构的三个微波放大部400、410、420；\n具有同一结构的三个反射功率检测装置600、610、620；以及微机700。微波发生装置100通过电源插头10与工业电源连接。 \n[0072] 微波发生装置100中，电压供给部200将工业电源提供的交流电压转换成可变电压和直流电压，将可变电压供给微波发生部300，将直流电压供给微波放大部400、410、\n420。 \n[0073] 微波发生部300根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波。功率分配器350将微波发生部300产生的微波大致等分到变相器351a、351b、351c。例如，在以输入到变相器351a的微波的相位为基准时，功率分配器350使输入到变相器351b的微波的相位滞后\n180度，使入射到变相器351c的微波的相位滞后90度。 \n[0074] 变相器351a、351b、351c各自分别包含例如变容二极管。变相器351a、351b、351c各自分别由微机700控制，调整所提供的微波的相位。 \n[0075] 此外，变相器351a、351b、351c各自分别也可以包含例如PIN二极管和多个线路，来代替变容二极管。 \n[0076] 例如，通过控制变相器351a、351b中的至少一个，可以改变从相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差。详细内容将在后文中阐述。 \n[0077] 微波放大部400、410、420利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器351a、351b、351c提供的微波进行放大。电压供给部200、微波发生部300、和微波放大部400、410、420的结构和工作的详细内容将在后文中阐述。 \n[0078] 反射功率检测装置600、610、620包括：检波二极管；定向耦合器；以及终端器等，向设置于壳体501内的天线A1、A2、A3提供被微波放大部400、410、420放大了的微波。从而，在壳体501内从天线A1、A2、A3发射微波。 \n[0079] 此时，从天线A1、A2、A3向反射功率检测装置600、610、620提供反射功率。反射功率检测装置600、610、620将与所供给的反射功率的大小相对应的反射功率检测信号提供给微机700。 \n[0080] 壳体501内设置有检测对象物温度用的温度传感器TS。将温度传感器TS获得的对象物的温度测定值提供给微机700。 \n[0081] 微机700控制电压供给部200、微波发生部300、和变相器351a、351b、351c。详细内容将在后文中阐述。 \n[0082] (1-2)微波发生装置结构的详细情况 \n[0083] 图2是构成图1的微波炉1的微波发生装置100的大概侧面图，图3是图2的微波发生装置100的一部分电路结构的示意图。 \n[0084] 根据图2和图3，说明微波发生装置100的各个构成部的详细情况。此外，图2和图3中，省略功率分配器350、变相器351a、351b、351c、微波放大部410、420、反射功率检测装置600、610、620、以及微机700的图示。 \n[0085] 图2的电压供给部200包括整流电路201(图3)和电压控制装置202(图3)。电压控制装置202包含变压器202a和电压控制电路202b。整流电路201和电压控制装置202容纳于利用树脂等绝缘材料构成的壳体IM1(图2)内。 \n[0086] 图2的微波发生部300包括散热片301和电路基板302。电路基板302上形成有图3的微波发生器303。电路基板302设置于散热片301上。电路基板302和微波发生器\n303位于散热片301上，容纳于金属壳体IM2内。微波发生器303由例如晶体管等电路元件构成。 \n[0087] 微波发生器303与图1的微机700连接。从而，微波发生器303的动作可通过微机700控制。 \n[0088] 图2的微波放大部400包括散热片401和电路基板402。电路基板402上形成有图3的三个放大器403、404、405。电路基板402设置于散热片401上。电路基板402和放大器403，404，405位于散热片401上，容纳于金属壳体IM3内。放大器403、404、405由使用GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)等的晶体管等高耐热性且高耐压的半导体元件构成。 [0089] 如图3所示，微波发生器303的输出端子通过电路基板302上形成的线路L1、图1的功率分配器350和变相器351a(图3中未图示)、同轴电缆CC1、以及电路基板402上形成的线路L2，与放大器403的输入端子连接。此外，同轴电缆CC1和线路L2在绝缘连结部MC中连接。 \n[0090] 放大器403的输出端子通过电路基板402上形成的线路L3，与功率分配器406的输入端子连接。功率分配器406将从放大器403经过线路L3输入的微波分成两份而输出。 [0091] 功率分配器406的两个输出端子通过电路基板402上形成的线路L4、L5，与放大器404和放大器405各自的输入端子连接。 \n[0092] 放大器404和放大器405各自的输出端子通过电路基板402上形成的线路L6、L8，与功率合成器407的输入端子连接。功率合成器407将输入的各个微波合成。功率合成器\n407的输出端子通过电路基板402上形成的线路L7，与同轴电缆CC2的一端连接。该同轴电缆CC2中插入了图1的反射功率检测装置600。 \n[0093] 同轴电缆CC2的另一端与设置于壳体501内的天线A1连接。此外，同轴电缆CC2和线路L7在绝缘连结部MC中连接。 \n[0094] 从工业电源PS向整流电路201的一对输入端子和变压器202a的初级线圈提供交流电压VCC。交流电压VCC例如为100(V)。与整流电路201的一对输出端子连接有高电位侧的电源线LV1和低电位侧的电源线LV2。 \n[0095] 整流电路201对工业电源PS提供的交流电压VCC进行整流，将直流电压VDD施加到电源线LV1、LV2之间。直流电压VDD例如为140(V)。放大器403、404、405的电源端子与电源线LV1连接，放大器403、404、405的接地端子与电源线LV2连接。 \n[0096] 变压器202a的次级线圈与电压控制电路202b的一对输入端子连接。变压器202a对交流电压VCC进行降压。电压控制电路202b将能够从利用变压器202a降压后的交流电压进行任意调整的可变电压VVA，提供给微波发生器303。可变电压VVA为例如可在0～10(V)之间进行调整的电压。 \n[0097] 微波发生器303根据电压控制电路202b提供的可变电压VVA，产生微波。微波发生器303产生的微波通过线路L1(图1的功率分配器350和变相器351a～351c)、同轴电缆CC1以及线路L2，提供给放大器403。 \n[0098] 放大器403对微波发生器303提供的微波的功率进行放大。经放大器403放大的微波通过线路L3、功率分配器406、以及线路L4、L5，提供给放大器404、405。 [0099] 放大器404、405对放大器403提供的微波的功率进行放大。经放大器404和放大器405放大的微波，分别通过线路L6、L8输入到功率合成器407，利用功率合成器407合成而输出，通过线路L7和同轴电缆CC2提供给天线A1。从放大器404、405提供给天线A1的微波向壳体501内发射。 \n[0100] (1-3)微机控制步骤 \n[0101] 图4和图5是表示图1的微机700的控制步骤的流程图。 \n[0102] 图1的微机700根据用户操作的对象物加热指令，进行以下所示的微波处理。 [0103] 如图4所示，微机700首先使自身内置的定时器开始测量工作(步骤S11)。然后，通过控制图1的微波发生部300，将预先确定的第一输出功率设定为微波炉1的输出功率(步骤S12)。该第一输出功率要小于后文所述的第二输出功率。关于第一输出功率的决定方法将在后文中阐述。 \n[0104] 然后，微机700在微波炉1所使用的2400MHz～2500MHz的全频带范围内对微波发生部300产生的微波的频率进行扫描，并且存储图1的反射功率检测装置600、610、620检测出的反射功率与频率的关系(步骤S13)。将该频带称之为ISM(工业、科学及医疗)频带。 \n[0105] 此外，微机700也可以仅存储反射功率显示极小值时的反射功率与频率的关系，来代替存储扫描微波频率时全频带范围内的反射功率与频率的关系。在这种情况下，可以减小微机700内的存储装置的使用区域。 \n[0106] 接着，微机700进行从ISM频带提取特定频率的频率提取处理(步骤S14)。 [0107] 在该频率提取处理中，例如，从所存储的反射功率识别特定的反射功率(例如最小值)，提取获得该反射功率时的频率作为正式加热频率。该具体例将在后文中阐述。 [0108] 此外，当微机700仅存储多组反射功率显示为最小值时的反射功率与频率的关系时，从所存储的多个频率中提取特定的频率作为正式加热频率。 \n[0109] 然后，微机700将预先确定的第二输出功率设定为微波炉1的输出功率(步骤S15)。 \n[0110] 该第二输出功率是对配置于图1的壳体501内的对象物进行加热用的功率，相当于微波炉1的最大输出功率(额定输出功率)。例如，当微波炉1的额定输出功率为950W时，预先设定第二输出功率为950W。 \n[0111] 然后，微机700以第二输出功率使正式加热频率的微波从天线A1、A2、A3向壳体\n501内发射(步骤S16)。从而，对配置于壳体501内的对象物进行加热(正式加热)。 [0112] 这里，微机700通过控制图1的变相器351a和变相器351b中的至少一个，使得相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差连续或分段地变化(步骤S17)。 [0113] 之后，微机700判断图1的温度传感器TS所检测的对象物温度是否达到目标温度(例如70℃)(步骤S18)。此外，目标温度可以预先设置成固定，也可以由用户手动地任意设定。 \n[0114] 当对象物温度未达到目标温度时，微机700判断反射功率检测装置600检测 出的反射功率是否超过预先确定的阈值(步骤19)。阈值的决定方法将在后文中阐述。 [0115] 当反射功率未超过预先确定的阈值时，微机700根据定时器的测量值，判断步骤S11中定时器开始测量工作时开始、是否经过了预定的时间(例如10秒)(步骤S20)。 [0116] 当未经过预定时间时，微机700维持以第二输出功率发射正式加热频率的微波的状态，同时重复步骤S18～S20的动作。 \n[0117] 步骤S18中，当对象物温度达到目标温度时，微机700结束微波处理。 [0118] 另外，步骤S19中，当反射功率超过预先确定的阈值时，微机700回到步骤S11的动作。 \n[0119] 步骤S20中，当经过了预定时间时，微机700如图5所示，对定时器进行复位，并且使定时器再次开始测量工作(步骤S21)。 \n[0120] 这里，微机700通过控制图1的变相器351a和变相器351b中的至少一个，使得相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差回到0度(步骤S22)。 \n[0121] 然后，与步骤S12一样，微机700将第一输出功率设定为微波炉1的输出功率(步骤S23)。 \n[0122] 接着，微波700将步骤S16中提取的正式加热频率设定为基准频率，在包含该基准频率的一定范围的频带(例如基准频率的±5MHz范围内的频带)内，对微波频率进行部分扫描，并且存储反射功率检测装置600检测出的反射功率与频率的关系(步骤S24)， [0123] 此外，这里微机700也可以仅存储反射功率显示极小值时的反射功率与频率的关系，来代替存储扫描微波频率时在上述部分频带范围内的反射功率与功率的关系。在这种情况下，可以减小微机700内的存储装置的使用区域。 \n[0124] 步骤S24中的成为扫描对象的频带范围，比步骤S13中的成为扫描对象的频带范围即ISM频带要窄。因而，与步骤S13的扫描所需时间相比，步骤S24的扫描所需时间缩短了。 \n[0125] 然后，微机700进行频率再提取处理(步骤S25)，从在步骤S24中成为扫描对象的频带范围内再次提取特定频率。该频率再提取处理是与步骤S14的频率提取处理相同的处理。 \n[0126] 然后，微机700将上述第二输出功率设定为微波炉1的输出功率(步骤S26)。 [0127] 接着，微机700以第二输出功率使新提取出的正式加热频率的微波从天线 A1、A2、A3向壳体501内发射(步骤S27)。 \n[0128] 这里，与步骤S17的动作一样，微机700通过控制图1的变相器351a和变相器351b中的至少一个，使得相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差连续或分段地变化(步骤S28)。 \n[0129] 然后，微机700进行与上述步骤S18～S20同样的步骤S29～S31的动作。另外，步骤S30中，当反射功率超过预先确定的阈值时，微机700回到图4的步骤S11的动作。步骤S31中，当经过了预定时间时，微机700回到步骤S21的动作。 \n[0130] (1-4)相对天线所发射的微波的相位差 \n[0131] 如上所述，在步骤S17和步骤S28中，对对象物进行正式加热时，微机700改变相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差。对微机700进行的上述控制的理由进行说明。 [0132] 如上所述，壳体501内的三个天线A1、A2、A3中的两个天线A1、A2，配置成在水平方向上彼此相对。从而，可认为在连接相对的两个天线A1、A2的轴线上，天线A1、A2发射的微波相互干涉。 \n[0133] 图6是用于说明从图1的天线A1、A2发射的微波相互干涉的图。图6(a)表示从天线A1、A2以相同相位(相位差为0度)发射微波的状态。 \n[0134] 如图6(a)所示，天线A1、A2发射的微波的强度呈正弦波的形状变化。此外，图6(a)中，为了清楚地显示天线A1、A2发射的微波的强度，使天线A1、A2的位置在纵向上错开。 [0135] 图6(b)、图6(c)、图6(d)和图6(e)中表示位置x1、x2、x3、x4上的微波强度随时间的变化。位置x1、x2、x3、x4在连接天线A1、A2的轴线cx上排列。图6(b)～图6(e)中，纵轴表示微波强度，横轴表示时间。 \n[0136] 位置x1～x4上的微波强度是通过对天线A1、A2发射的微波进行合成而得到的。\n若比较图6(b)～图6(e)，则微波强度的振幅在位置x1显示最大值。另外，在位置x2、x4为中等程度，在位置x3为0。 \n[0137] 微波炉1中，微波强度的振幅越大的位置，对象物的温度上升值就越高。而微波强度的振幅越小的位置，对象物的温度上升值就越低。 \n[0138] 因而，本例中，在位置x1能够将对象物的温度上升到最高，在位置x2、x4能够将对象物的温度上升到中等程度。另一方面，在位置x3几乎无法使对象物的温度上升。 [0139] 这里，假设天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化的情况。图7是用于 说明从图1的天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化时的微波相互干涉的图。 [0140] 如图7(a)所示，当天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化时，从天线A1、A2发生的微波的相互干涉状态也发生变化。 \n[0141] 图7(b)、图7(c)、图7(d)和图7(e)中表示位置x1、x2、x3、x4上的微波强度随时间的变化。图7(b)～图7(e)中也是纵轴表示微波强度，横轴表示时间。 [0142] 若比较图7(b)～图7(e)，则微波强度的振幅在位置x1、x3、x4为中等程度，在位置x2为0。 \n[0143] 因而，在这种情况下，在位置x1、x3、x4能够将对象物的温度上升到中等程度。而另一方面，在位置x2几乎无法使对象物的温度上升。 \n[0144] 如上所述，本发明人认为通过改变相对发射的微波的相位差，可以容易地改变微波的相互干涉状态，认为其结果是通过改变微波的相位差，能够容易地改变微波炉1内的微波强度分布(电磁波分布)。 \n[0145] 此外，虽然上述内容中说明了位于连接天线A1、A2的轴线cx上的微波干涉，但可认为天线A1、A2所发射的微波的相互干涉也发生在连接天线A1、A2的轴线cx的周边的空间内。 \n[0146] 本发明人为了确认电磁波分布的不均匀性随着相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差而发生变化，进行了以下实验。 \n[0147] 图8～图10是表示调查相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差、与壳体501内部的电磁波分布的关系用的实验内容及其实验结果的图。 \n[0148] 图8(a)表示图1的壳体501的横向截面图。在本实验中，首先在壳体501的内部配置多个加入了预定量的水的杯子CU。 \n[0149] 然后，使相对的两个天线A1、A2发射微波。之后，经过预定时间并停止微波发射，在各个杯子CU内的中心部(图8(a)的P点)测量利用微波发射而引起的水温上升值。 [0150] 在天线A1发射的电磁波与天线A2发射的电磁波之间设定多个相位差，对每一个设定的相位差多次发射微波。此外，本实验中，将相位差设定为0度～320度范围内且每隔\n40度。 \n[0151] 这样，本发明人通过测量配置于壳体501内部的水平面内的水的温度上升值，来调查微波的电磁波分布。根据本实验，可以判断为在水温上升值高的区域，电磁波的能量强，在水温上升值低的区域，电磁波的能量弱。 \n[0152] 图8(b)中利用基于水温上升值的等温线，表示将微波相位差设定为0度时的实验结果。同样地，图8(c)～图10(j)中表示将微波相位差设定在40度～320度的范围内且每隔40度时的实验结果。 \n[0153] 这样，根据图8(c)～图10(j)所示的实验结果，水温上升值在壳体501内有很大差异。另外，通过所设定的相位差的变化，使得温度上升值的差异发生变化。 [0154] 例如，如图9(e)和图9(f)所示，将相位差设定为120度和160度时，在靠近壳体\n501的一个侧面的区域HR1内温度上升值非常高。 \n[0155] 另一方面，如图10(i)和图10(j)所示，将相位差设定为280度和320度时，在靠近壳体501的另一个侧面的区域HR2内温度上升值非常高。 \n[0156] 由此，本发明人注意到壳体501内的电磁波分布的不均匀性会根据上述相位差而发生变化，发现在正式加热对象物时，通过改变相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差，能够均匀地加热对象物，以及能够集中加热对象物的特定部分。 \n[0157] 本实施方式中，利用上述步骤S17和步骤S28的动作，在正式加热对象物时，能够均匀地加热配置于壳体501内的对象物。 \n[0158] 由于通过改变相位差、可以改变壳体501内的电磁波分布，因此，不需要在壳体\n501内移动配置于壳体501内的对象物。而且，也不需要移动发射微波的天线来改变电磁波分布。 \n[0159] 因而，不需要移动对象物和天线用的机构，并且壳体501内也不需要确保对象物和天线移动用的空间。其结果，实现微波炉1的低成本化和小型化。 \n[0160] 本实施方式中，微机700可连续或分段地改变相位差，在分段改变相位差的情况下，相位差可以是每隔例如40度变化，也可以是每隔45度变化。在这种情况下，每一个阶段发生变化的相位差的值并不限于上文所述，将其设定成越小越好。从而，可以进一步减少对象物的不均匀加热。 \n[0161] 相位差变化的周期可以预先设置成固定的，也可以由用户手动地任意设定。 [0162] 当相位差变化的周期设定为固定时，可以设定为例如在30秒内从0度变化到360度，也可以设定为在10秒内从0度变化到360度。 \n[0163] 相位差的变化并不一定要在0度～360度的范围内进行。例如，预先将多个相位差的值、和与该相位差的值相对应的电磁波分布的关系存储于微机700的 内置存储器中。 [0164] 在这种情况下，微机700可以根据对象物的加热状态而有选择地设定多个相位差的值。 \n[0165] 具体地说，是在壳体501内配置多个温度传感器TS。在这种情况下，可以对多个部分测定对象物温度，可以掌握对象物的温度分布。 \n[0166] 此时，微机700根据内置存储器中存储的相位差与电磁波分布的关系设定相位差，使得在对象物温度低的部分，电磁波的能量变强。从而，可以更加均匀地加热对象物。 [0167] (1-5)第一输出功率的决定方法 \n[0168] 如上所述，图1的微波炉1中，在用第二输出功率加热对象物之前，用第一输出功率进行微波频率的扫描，从而进行频率提取处理。这是根据下述理由。 [0169] 由微波发射所产生的反射功率会根据微波频率而变化。这里，当构成图3的微波发生部300和微波放大部400、410、420的电路元件因反射功率而发热时，由图2的散热片\n301、401进行散热，但是当反射功率大到超过散热片301、401的散热能力时，有时就会导致设置于散热片301、401上的电路元件发热、损坏。 \n[0170] 因此，本实施方式中，以反射功率不超过散热片301、401的散热能力那样来决定第一输出功率。 \n[0171] (1-6)频率提取处理和频率再提取处理 \n[0172] (1-6-a) \n[0173] 本实施方式的微波炉1中，在正式加热对象物之前，进行微波频率的扫描和频率提取处理(参照图4的步骤S13、S14)。 \n[0174] 图11是用于说明微波频率的扫描和频率提取处理的具体例子的图。 [0175] 图11(a)中用曲线图表示扫描微波频率时的反射功率的变化。图11(a)中，纵轴表示反射功率，横轴表示微波频率。 \n[0176] 另外，本例中，为了方便说明，在图11(a)中仅示出图1的天线A1的反射功率。 [0177] 如上所述，本实施方式的微波炉1中，在正式加热对象物之前，在ISM频带的全频带范围内扫描微波频率(参照箭头SW1)。微机700存储反射功率与频率的关系。 [0178] 微机700通过频率提取处理，提取出例如反射功率为最小时的频率f1作为正式加热频率。本例中仅说明了天线A1的反射功率，但实际上是测量天线A1、 A2、A3的全部反射功率，提取反射功率为最小时的频率f1作为正式加热频率。 \n[0179] 由此，以第二输出功率将正式加热频率f1的微波从天线A1向壳体501内的对象物发射。其结果，能够降低反射功率，同时进行对象物的加热。 \n[0180] 此外，以例如每0.1MHz用0.001秒进行扫描。这时，ISM频带的全频带范围内的上述扫描需要1秒的时间。 \n[0181] (1-6-b) \n[0182] 取决于频率的反射功率的变化(以下称之为反射功率频率特性)是根据壳体501内的对象物的位置、大小、组成以及温度等而变化。因而，当用微波炉1加热对象物、对象物的温度上升时，反射功率的频率特性也发生变化。 \n[0183] 图11(b)中用曲线图表示因对象物加热而引起的反射功率频率特性的变化。图\n11(b)中，纵轴表示反射功率，横轴表示微波频率。另外，用实线表示正式加热前的扫描时的反射功率频率特性，用虚线表示因正式加热而使得对象物加热时的反射功率频率特性。 [0184] 与上述同样，为了方便说明，在图11(b)中仅示出图1的天线A1的反射功率。 [0185] 通过反射功率的频率特性变化，使得反射功率为最小和极小时的频率发生变化。\n图11(b)中，用标号g1表示对象物被加热时反射功率为最小的频率。 \n[0186] 这样，反射功率的频率特性也取决于对象物的温度而发生变化。因而，本实施方式的微波炉1中，在对对象物进行正式加热时，每经过预定时间就进行微波频率的扫描和频率再提取处理(参照图5的步骤S24、S25)。 \n[0187] 但是，此时的扫描是在将就要扫描之前的正式加热时所设定的频率f1作为基准频率、在该基准频率的±5MHz的范围内的频带中进行的(参照箭头SW2)。从而，再次提取新的反射功率为最小的频率g1，作为新的正式加热频率。 \n[0188] 通过在包含即将扫描之前所设定的正式加热频率的、一定范围的部分频带内进行微波频率的扫描，可以缩短扫描所需的时间。例如，当以每0.1MHz用0.001秒进行扫描时，在基准频率的±5MHz的范围内的频带中进行扫描所需的时间为0.1秒。 \n[0189] 此外，虽然本实施方式中是以预定的时间间隔进行部分频带范围内的频率扫描和频率再提取处理，但该时间间隔最好是设定为使得反射功率的频率特性不会因对象物的加热而发生大的变化那样、例如10秒。 \n[0190] (1-7)反射功率的阈值 \n[0191] 本实施方式的微波炉1中，在正式加热对象物时，判断反射功率是否超过预先确定的阈值(参照图4的步骤S18和图5的步骤S30)。 \n[0192] 这里，阈值是由例如在频率提取处理时检测出的反射功率的最小值加上50W所得到的值而决定的。从而，当反射功率大到超出开始正式加热时的值有50W时，微机700在ISM频带的全频带内扫描微波频率，进行频率提取处理。 \n[0193] 从而，能够防止正式加热对象物过程中反射功率显著变大。另外，即使是在通过对象物被加热、而使得反射功率的频率特性发生大变化的情况下，也由于在ISM频带的全频带内扫描微波频率，进行频率提取处理，因此一直能够降低反射功率。 [0194] (1-8)频率提取处理的其他例 \n[0195] 频率提取处理也可以如下所述那样进行。如图11(a)所示，存在例如反射功率的频率特性有多个极小值的情况。此时，微机700也可以提取与多个极小值分别对应的频率f1、f2、f3作为正式加热频率。 \n[0196] 在这种情况下，微机700也可以按顺序切换正式加热频率f1、f2、f3。例如，微机\n700从正式加热对象物开始，每隔3秒按顺序切换正式加热频率f1、f2、f3。 [0197] 这样，即使是在扫描时存在多个同一等级的极小值的情况下，也可以通过以与多个极小值对应的多个频率进行正式加热，以各极小值频率的微波对对象物进行正式加热。 [0198] (1-9)效果 \n[0199] (1-9-a) \n[0200] 本实施方式的微波炉1中，在正式加热对象物时，相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化。从而，均匀地加热配置于壳体501内的对象物。 \n[0201] 由于通过改变相位差可以改变壳体501内的电磁波分布，因此，不需要在壳体501内移动对象物。而且，也不需要移动发射微波的天线来改变电磁波分布。 [0202] 从而，不需要移动对象物和天线用的机构，并且壳体501内也不需要确保对象物和天线移动用的空间。其结果，实现微波炉1的低成本化和小型化。 \n[0203] (1-9-b) \n[0204] 如图1所示，在微波炉1的壳体501内，除相对的两个天线A1、A2之外，还以不与天线A1、A2相对的状态设置有天线A3。这是根据下述理由。 \n[0205] 微波有方向性。因而，取决于壳体501内对象物的配置状态和形状，天线 A1、A2发射的微波有时就无法有效地加热对象物。 \n[0206] 因而，本例中，除沿水平方向发射微波的天线A1、A2外，还设置有从下方竖直向上发射微波的天线A3。从而，能够有效地加热对象物，而与微波的方向性无关。 [0207] (1-9-c) \n[0208] 本实施方式的微波炉1中，在正式加热对象物之前，通过频率提取处理提取出对象物加热时所产生的反射功率为最小的微波频率。通过使用所提取的频率作为正式加热频率，来提高微波炉1的功率转换效率。 \n[0209] 另外，在频率提取处理中，将微波炉1的输出功率设定为要比正式加热时充分小的第一输出功率。从而，即使是在扫描微波频率时，因反射功率而使得构成微波发生部300和微波放大部400的电路元件发热的情况下，也可以利用散热片301、401进行充分散热。 [0210] 其结果，确实地防止设置于散热片301、401上的电路元件因反射功率而引起的损坏。 \n[0211] (1-9-d) \n[0212] 本实施方式中，如图1所示，将沿水平方向相对的两个天线A1、A2设置于壳体501的竖直方向的比中间部略靠下。从而，在使用微波炉1时，能够有效地加热配置于壳体501内的下部的对象物。 \n[0213] (1-10)变形例 \n[0214] 第一实施方式中，每当开始以第二输出功率进行正式加热时，微机700就改变相对的天线A1、A2发射的微波的相位差(参照图4的步骤S17)，每当停止正式加热时，就使微波的相位差回到0(参照图5的步骤S22)，但并不一定要将相位差返回到0。微机700也可以在步骤S22中将相位差设定为预先确定的值。 \n[0215] 本实施方式中，对通过在正式加热对象物时改变微波的相位差而均匀地加热对象物的例子进行了说明，但也可以通过在微机700内置的存储器中预先存储相位差与电磁波分布的关系，根据该关系来改变相位差，从而集中加热对象物所希望的部分。 [0216] 例如，在壳体501内，在放置对象物的部分的大致中间部分，设定电磁场很强。在这种情况下，即使是小的对象物，也能有效地加热。 \n[0217] 第二输出功率虽然采用微波炉1的最大输出功率，但第二输出功率也可以 由用户手动地任意设定。 \n[0218] 另外，本实施方式中，微机700根据图1的温度传感器TS所测量的对象物温度的测量值来判断微波处理的结束，但微波处理也可以根据用户手动设定的结束时间而结束。 [0219] 本实施方式的微波炉1中，若天线A1、A2发射的微波发生相互干涉，就不一定需要相对地配置天线A1、A2。 \n[0220] 图12是表示图1的天线A1、A2的其它配置例的图。图12(a)的例子中，天线A1水平地配置于壳体501的一个侧面的上部，天线A2水平地配置于壳体501的另一个侧面的大致中间部。 \n[0221] 图12(b)的例子中，天线A1配置于壳体501的一个侧面的上部，使其面向壳体501的下表面的大致中间部，天线A2水平地配置于壳体501的另一个侧面的大致中间部。 [0222] 图12(c)的例子中，天线A1配置于壳体501的下面的大致中间部，使其向壳体501的另一个侧面侧倾斜，天线A2水平地配置于壳体501的另一个侧面的大致中间部。 [0223] 在这些情况下，也通过从天线A1、A2发射微波，从而在两束微波之间发生相互干涉。其结果，通过改变两束微波的相位差，来改变壳体501内的电磁波分布。 [0224] 第二实施方式 \n[0225] 第二实施方式的微波炉在以下方面不同于第一实施方式的微波炉1。 [0226] (2-1)微波炉的结构和工作概况 \n[0227] 图13是表示第二实施方式的微波炉结构的框图。如图13所示，第二实施方式的微波炉1的微波发生装置100的结构不同于第一实施方式的微波炉1(图1)。 [0228] 本实施方式的微波炉1中，微波发生装置100包括：电压供给部200；具有同一结构的两个微波发生部300、310；功率分配器360；具有同一结构的两个变相器351a、351b；\n具有同一结构的三个微波放大部400、410、420；具有同一结构的三个反射功率检测装置\n600、610、620；以及微机700。 \n[0229] 这里，微波发生部310的结构与第一实施方式中说明的微波发生部300的相同。 [0230] 通过将电源插头10与工业电源连接，向电压供给部200供给交流电压。 [0231] 电压供给部200将工业电源提供的交流电压转换成可变电压和直流电压，将可变电压供给微波发生部300、310，将直流电压供给微波放大部400、410、420。\n[0232] 微波发生部300根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波。功率分配器360将微波发生部300产生的微波大致等分到变相器351a、351b。 \n[0233] 变相器351a、351b各自分别由微机700控制，调整所提供的微波的相位。由变相器351a、351b进行的微波相位的调整与第一实施方式相同。 \n[0234] 微波放大部400、410利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器\n351a、351b提供的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置600、610，提供给壳体501内沿水平方向相对的天线A1、A2。 \n[0235] 微波发生部310也是根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波。微波发生部310产生的微波提供给微波放大器420。 \n[0236] 微波放大器420利用电压供给部200提供的直流电压而工作，对微波发生部300产生的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置620，提供给壳体501内的天线A3。 \n[0237] (2-2)效果 \n[0238] 如上所述，本实施方式中，从天线A3发射的微波的发生源(微波发生部310)，不同于从彼此相对的天线A1、A2发射的微波的发生源(微波发生部300)。 \n[0239] 从而，可以控制从天线A3发射的微波的频率，使其为不同于从其它天线A1、A2所发射的微波的频率的频率。由此，能够进一步提高功率转换效率。 \n[0240] 从天线A3发射的微波的传输路径中，不需要设置功率分配器和变相器的结构。从而，简化微波炉1的结构，实线低成本化和小型化。 \n[0241] 第三实施方式 \n[0242] 第三实施方式的微波炉在以下方面不同于第一实施方式的微波炉1。 [0243] (3-1)微波炉的结构和工作概况 \n[0244] 图14是表示第三实施方式的微波炉结构的框图。如图14所示，第三实施方式的微波炉1的微波发生装置100的结构不同于第一实施方式的微波炉1(图1)。 [0245] 本实施方式的微波炉1中，微波发生装置100包括：电压供给部200；微波发生部\n300；具有同一结构的三个功率分配器350A、350B、350C；具有同一结构的四个变相器351a、\n351b、351c、351d；具有同一结构的四个微波放大部400、410、420、430；具有同一结构的四个反射功率检测装置600、610、620、630；以及微机700。 \n[0246] 通过将电源插头10与工业电源连接，向电压供给部200供给交流电压。 [0247] 电压供给部200将工业电源提供的交流电压转换成可变电压和直流电压，将可变电压供给微波发生部300，将直流电压供给微波放大部400、410、420、430。 [0248] 微波发生部300根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波，并提供给功率分配器350A。 \n[0249] 功率分配器350A将所提供的微波大致等分给功率分配器350B、350C。功率分配器\n350B将所提供的微波大致等分给变相器351a、351b。另外，功率分配器350C将所提供的微波大致等分给变相器351c、351d。 \n[0250] 变相器351a、351b、351c、351d各自分别由微机700控制，调整所提供的微波的相位。详细内容将在后文中阐述。 \n[0251] 微波放大部400、410利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器\n351a、351b提供的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置600、610，提供给壳体501内沿水平方向相对的天线A1、A2。 \n[0252] 另外，微波放大部420、430也是利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器351c、351d提供的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置620、630，提供给壳体501内沿竖直方向相对的天线A3、A4。 \n[0253] (3-2)微波相位的调整 \n[0254] 如图14所示，在壳体501内以彼此沿水平方向相对的方式设置天线A1、A2，以彼此沿竖直方向相对的方式设置天线A3、A4。 \n[0255] 这里，在天线A1发射的微波的传输路径上设置有变相器351a，在天线A2发射的微波的传输路径上设置有变相器351b。 \n[0256] 另外，在天线A3发射的微波的传输路径上设置有变相器351c，在天线A4发射的微波的传输路径上设置有变相器351d。 \n[0257] 从而，在本实施方式中，微机700对与相对的天线A1、A2对应的两个变相器351a、\n351b，进行与第一实施方式相同的处理。即，对对象物进行正式加热时，微机700改变相对的两个天线A1、A2发射的微波的相位差。 \n[0258] 另外，微机700对与相对的天线A3、A4对应的两个变相器351c、351d，进行与第一实施方式相同的处理。即，对对象物进行正式加热时，微机700改变相对的两个天线A3、A4发射的微波的相位差。 \n[0259] (3-3)效果 \n[0260] 本实施方式中，沿水平方向相对的天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化，并且沿竖直方向相对的天线A3、A4发射的微波的相位差也发生变化。从而，壳体501内的电磁波分布充分变化，对配置于壳体501内的对象物进行更加均匀的加热。 [0261] 另外，本实施方式中，配置于壳体501内的对象物被沿水平方向相对的天线A1、A2发生的微波加热，同时被沿竖直方向相对的天线A3、A4发生的微波加热。从而，能够充分有效地加热对象物，而与微波的方向性无关。 \n[0262] 第四实施方式 \n[0263] 第四实施方式的微波炉在以下方面不同于第一实施方式的微波炉1。 [0264] (4-1)微波炉的结构和工作概况 \n[0265] 图15是表示第四实施方式的微波炉结构的框图。如图15所示，第四实施方式的微波炉1的微波发生装置100的结构不同于第一实施方式的微波炉1(图1)。 [0266] 本实施方式的微波炉1中，微波发生装置100包括：电压供给部200；微波发生部300、310；具有同一结构的两个功率分配器370、380；具有同一结构的四个变相器351a、\n351b、351c、351d；具有同一结构的四个微波放大部400、410、420、430；具有同一结构的四个反射功率检测装置600、610、620、630；以及微机700。 \n[0267] 通过将电源插头10与工业电源连接，向电压供给部200供给交流电压。 [0268] 电压供给部200将工业电源提供的交流电压转换成可变电压和直流电压，将可变电压供给微波发生部300，310，将直流电压供给微波放大部400、410、420、430。 [0269] 微波发生部300根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波，并提供给功率分配器370。功率分配器370将微波发生部300产生的微波大致等分到变相器351a、351b。 [0270] 另外，微波发生部310根据电压供给部200提供的可变电压，产生微波，并提供给功率分配器380。功率分配器380将微波发生部310产生的微波大致等分到变相器351c、\n351d。 \n[0271] 变相器351a、351b、351c、351d各自分别由微机700控制，调整所提供的微波的相位。 \n[0272] 这里，由变相器351a、351b、351c、351d进行的微波相位的调整与第三实施方式相同地进行。 \n[0273] 微波放大部400、410利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器\n351a、351b提供的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置600、610，提供给壳体501内沿水平方向相对的天线A1、A2。 \n[0274] 另外，微波放大部420、430也是利用电压供给部200提供的直流电压而工作，分别对变相器351c、351d提供的微波进行放大。经放大的微波通过反射功率检测装置620、630，提供给壳体501内沿竖直方向相对的天线A3、A4。 \n[0275] (4-2)效果 \n[0276] 本实施方式中也一样，沿水平方向相对的天线A1、A2发射的微波的相位差发生变化，并且沿竖直方向相对的天线A3、A4发射的微波的相位差也发生变化。从而，壳体501内的电磁波分布充分变化，对配置于壳体501内的对象物进行更加均匀的加热。另外，还能够充分有效地加热对象物，而与微波的方向性无关。 \n[0277] 本实施方式中，从天线A1、A2发射的微波的发生源(微波发生部300)，不同于从天线A3、A4发射的微波的发生源(微波发生部310)。 \n[0278] 从而，可以控制从天线A1、A2发射的微波的频率，使其为不同于从其它天线A3、A4所发射的微波的频率的频率。由此，能够进一步提高功率转换效率。 \n[0279] 权利要求的各构成要素与实施方式的各部分的对应 \n[0280] 下面，说明权利要求的各构成要素与实施方式的各部分对应的例子，但本发明并不限于下述的例子。 \n[0281] 上述第一～第四实施方式中，微波炉1是微波处理装置的例子，微波发生部300、\n310是微波发生部的例子，天线A1是第一发射部的例子，天线A2是第二发射部的例子。 [0282] 另外，变相器351a、351b是第一变相部的例子，反射功率检测装置600、610、620、\n630是检测部的例子，微机700是控制部的例子。 \n[0283] 还有，天线A3是第三发射部的例子，微波发生部300是第一微波发生部的例子，微波发生部310是第二微波发生部的例子，天线A4是第四发射部的例子，变相器351c、351d是第二变相部的例子。 \n[0284] 工业上的实用性 \n[0285] 本发明可用于微波炉、等离子体发生装置、干燥装置、以及促进酶反应的装置等产生微波的处理装置。