半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN03125596.5
IPC分类号：H01L23/29;H01L23/12;H01L21/60;H01L21/50
申请日期：
2003-09-30
申请人：
夏普株式会社

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专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN03125596.5	申请日期	2003-09-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-19	公开/公告号	CN1497713
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	广东省深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦1437 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳通锐微电子技术有限公司	当前权利人	深圳通锐微电子技术有限公司
发明人	濑古敏春
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	温大鹏;杨松龄

摘要

一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有按图案形状形成的布线的绝缘性基板、经突起电极电连接该布线的半导体元件、固定该半导体元件的树脂包边。树脂包边至少由包含提高绝缘性树脂相对布线和绝缘性基板的润湿性的树脂防粘弹剂的绝缘性树脂构成；树脂防粘弹剂是界面活性剂。半导体器件的制造方法包括：在绝缘性基板上的布线上，留出装载半导体元件的部位地覆盖阻焊膜的阻焊膜覆盖工序；向包含装载半导体元件的部位的区域涂布绝缘性树脂的绝缘性树脂涂布工序；在涂布的绝缘性树脂上装载半导体元件，并将其突起电极压接到绝缘性基板上的布线上，从而进行电连接的半导体元件加压工序。在绝缘性树脂涂布工序中，至少使用包含提高绝缘性树脂的润湿性的树脂防粘弹剂的绝缘性树脂，通过半导体元件加压工序从半导体元件下方挤压出的绝缘性树脂和存在于半导体元件外周部的绝缘性树脂在半导体元件的侧面形成树脂包边。

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