消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410067898.4
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/34
申请日期：
2014-02-27
申请人：
北京兆易创新科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法
申请号	CN201410067898.4	申请日期	2014-02-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-02	公开/公告号	CN104882163A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	北京兆易创新科技股份有限公司	申请人地址	北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京兆易创新科技股份有限公司	当前权利人	北京兆易创新科技股份有限公司
发明人	胡洪;陈建梅
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	胡彬;孟金喆

摘要

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法。所述方法包括FLASH芯片接收擦除指令；施加一正高压至所述阱区；施加所述正高压至阱区中非擦除区域中存储单元的控制栅极和源极，并悬空非擦除区域中存储单元的漏极；施加所述正高压至阱区中预擦除区域中存储单元的源极，并施加一负高压至预擦除区域中存储单元的控制栅极，悬空预擦除区域中存储单元的漏极；所述正高压和所述负高压使所述预擦除区域中存储单元产生隧道效应，实现擦除。本发明提供的擦除方法，在擦除完成后不再需要擦除修复操作，减少了擦除的时间开销，提高了擦除的效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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