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一种高压超结MOSFET结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202022247870.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L23/552
  • 申请日期:
    2020-10-10
  • 申请人:
    无锡橙芯微电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高压超结MOSFET结构
申请号CN202022247870.2申请日期2020-10-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2查看分类表>
申请人无锡橙芯微电子科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市滨湖区无锡市建筑西路777号A10幢2层202-34 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡橙芯微电子科技有限公司当前权利人无锡橙芯微电子科技有限公司
发明人张艳旺;钱振华
代理机构浙江英普律师事务所代理人王晓岗
摘要
本实用新型公开了一种高压超结MOSFET结构,其包括N+衬底;超结区,超结区位于所述N+衬底上面;所述超结区包括第一P柱;N柱,N柱位于所述第一P柱外侧;第二P柱,第二P柱位于所述N柱外侧;本实用新型中的高压超结MOSFET结构是在Poly gate(多晶栅极)中间下面设置有数个PNPNPN交替出现的pillar(柱子),实现了在不改变现有工艺以及其它参数几乎不变的情况下,使SJMOS(超级结金属氧化物半导体)器件的RSP(比导通电阻)及EMI(电磁干扰)性能提升,从而提升器件的竞争力。

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