一种发400nm蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光荧光粉及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610036399.4
IPC分类号：C09K11/78;H01L51/54
申请日期：
2006-07-07
申请人：
中山大学

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专利名称	一种发400nm蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光荧光粉及其制备方法
申请号	CN200610036399.4	申请日期	2006-07-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-13	公开/公告号	CN1876754
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/78 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/77 含稀土金属〔4〕 C09K11/78 含氧〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;7;8;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	梁宏斌;汪正良;龚孟濂;王静;苏锵
代理机构	广州粤高专利代理有限公司	代理人	陈卫

摘要

本发明涉及白光二极管领域，公开了一种发400nm左右蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光材料及其制备方法。本发明的稀土红色发光荧光粉的化学组成为MI5MIII1－x－y[MVIO4]4:xEu3+，yRIII。MI为碱金属离子Li+、Na+、K+中的一种或几种；MIII为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Sm3+、Gd3+、Y3+、Tb3+、Dy3+中的一种或两种；MVI为Mo6+、W6+中的一种或两种；RIII为La3+、Ce3+、Pr3+、Sm3+、Gd3+、Y3+、Tb3+、Bi3+中的一种；x、y为相应掺杂离子相对MIII离子所占的摩尔百分比系数，0.0＝x＝1.0，0.0≤y≤0.20。本发明的稀土红色发光荧光粉采用高温固相法制备。本发明的稀土红色荧光粉在400nm左右有很强的激发，发光效率高，稳定性好；以618nm的红光发射为主，红光发射的色纯度很好。

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