制造包含分离层的多层结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200580021845.8
IPC分类号：H01L21/324;H01L21/762;H01L21/20
申请日期：
2005-05-20
申请人：
米歇尔·布吕埃尔

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著录项信息

专利名称	制造包含分离层的多层结构的方法
申请号	CN200580021845.8	申请日期	2005-05-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-11	公开/公告号	CN1998071
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	米歇尔·布吕埃尔	申请人地址	法国贝尔南变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司	当前权利人	S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
发明人	米歇尔·布吕埃尔
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	顾晋伟;刘继富

摘要

一种用于生产在其深度范围内包含分离层的多层结构的方法，所述方法包括生产初始多层结构(1)，该初始多层结构包括基础衬底(2)、表面衬底(5)以及位于基础衬底和表面衬底之间的吸收剂层(3)和可液化的中间层(4)；所述吸收剂层(3)能在至少一个区域吸收光功率通量；所述中间层(4)至少在一个区域包括杂质，相对于构成所述中间层的材料，该杂质具有的偏析系数小于1；所述生产方法还包括在一定时间内将初始结构(1)暴露于至少一个脉冲方式的所述光功率通量下，调节所述功率通量以便于在热能传播效应下液化至少一部分所述中间层(4)，这样由于原来存在所述杂质，在所述中间层至少部分固化之后，所述中间层(4)的至少一个特性和/或至少一个性质被改变，从而所述中间层至少部分地形成分离层。

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