一种钐铁钴磷非晶薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011155927.4
IPC分类号：C25D3/56;C25D5/48;C25D7/00
申请日期：
2020-10-26
申请人：
中国计量大学;中国计量大学上虞高等研究院有限公司

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专利名称	一种钐铁钴磷非晶薄膜及其制备方法
申请号	CN202011155927.4	申请日期	2020-10-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112481666A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D3/56 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D3/00 电镀；其所用的镀液〔2〕 C25D3/02 溶液（C25D 5/24至C25D 5/32优先）〔2〕 C25D3/56 合金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;3;/;5;6;;;C;2;5;D;5;/;4;8;;;C;2;5;D;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国计量大学;中国计量大学上虞高等研究院有限公司	申请人地址	浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量大学,中国计量大学上虞高等研究院有限公司	当前权利人	中国计量大学,中国计量大学上虞高等研究院有限公司
发明人	俞能君;李迎畅;杨婉琪;吴琼;泮敏翔;张朋越;葛洪良
代理机构	杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜，包含的元素为Sm、Fe、Co、P，其中各个元素的重量百分数的比值为SmFeCoP＝xyza，5.0≤x≤35.0，55.0≤y≤80.0，0≤z≤30.0，0.1≤a≤2.0，x+y+z+a＝100。本发明还公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜的制备方法，包括(1)电极片活化处理；(2)电化学共沉积；(3)薄膜清洗。本发明能够实现Sm、Fe、Co三种元素的可控共沉积，薄膜元素分布均匀，而且本发明制备方法制得的非晶薄膜的饱和磁化强度较高，达到137emu/g。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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