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基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510030000.0
  • IPC分类号:H01L31/0236;H01L31/18
  • 申请日期:
    2015-01-21
  • 申请人:
    中电投西安太阳能电力有限公司
著录项信息
专利名称基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法
申请号CN201510030000.0申请日期2015-01-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576783A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0236IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中电投西安太阳能电力有限公司申请人地址
陕西省西安市航天基地东长安街589号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中电投西安太阳能电力有限公司当前权利人中电投西安太阳能电力有限公司
发明人吴翔;郭辉;黄海栗;苗东铭;胡彦飞;张玉明
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华
摘要
本发明公开了一种基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7);在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状;该梯形上依次通过转移形成硅纳米线绒面层(5)、通过淀积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过磁控溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2),最终得到三维倒梯形整体结构;在该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述硅纳米线绒面层(5)中硅纳米线直径为40?80nm,长度为20?40μm,该层具有强烈的陷光特性,能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用,改善了太阳能电池的转换效率,可用于光伏发电。

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