CMOS图像传感器像素

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202122917303.8
IPC分类号：H01L27/146;H04N5/357;H04N5/372
申请日期：
2021-11-25
申请人：
思特威（上海）电子科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	CMOS图像传感器像素
申请号	CN202122917303.8	申请日期	2021-11-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;4;N;5;/;3;5;7;;;H;0;4;N;5;/;3;7;2查看分类表>
申请人	思特威（上海）电子科技股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	思特威（上海）电子科技股份有限公司	当前权利人	思特威（上海）电子科技股份有限公司
发明人	郭同辉
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文

摘要

本实用新型提供一种CMOS图像传感器像素，像素包括漂浮扩散有源区、复位晶体管、源跟随晶体管及掩埋型多晶硅连线；漂浮扩散有源区与复位晶体管的源极端相连，并且与源跟随晶体管的栅极端相连，复位晶体管的漏极端接第一电源，源跟随晶体管的漏极端接第二电源，漂浮扩散有源区、复位晶体管的源极端及源跟随晶体管的栅极端通过掩埋型多晶硅连线相连。本实用新型可以省去漂浮扩散有源区与源跟随晶体管栅极端的互联金属线，消除了上述互连金属线所产生的寄生电容，大幅提高了CMOS图像传感器像素的光电转换增益，可有效降低CMOS图像传感器像素输出信号中的噪声，从而大大提升传感器采集的图像品质。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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