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用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610088286.9
  • IPC分类号:G02B5/08;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18;H01L33/00;H01L51/00;H01S5/125;H01S5/187
  • 申请日期:
    2006-07-07
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法
申请号CN200610088286.9申请日期2006-07-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-01-24公开/公告号CN1900745
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/08IPC分类号G;0;2;B;5;/;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;1;2;5;;;H;0;1;S;5;/;1;8;7查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市汉口路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人谢自力;张荣;韩平;修向前;刘斌;李亮;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武;王鹏翔
摘要
用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构:从基底到上部的结构为,5-50nm厚的低温LT-GaN、50-2000nm厚的高温HT-GaN和或加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN;最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN,其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构;该结构包括:5-50nm厚的低温LT-GaN/50-2000nm厚的高温HT-GaN/和或包括加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN/最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN结构。

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