一种半导体设备等离子腔体用电子匹配器

发明专利无效专利

申请号：
CN201510622763.4
IPC分类号：H01J37/32;H05H1/46
申请日期：
2015-09-25
申请人：
沈阳拓荆科技有限公司

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专利名称	一种半导体设备等离子腔体用电子匹配器
申请号	CN201510622763.4	申请日期	2015-09-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-04-05	公开/公告号	CN106558467A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	沈阳拓荆科技有限公司	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳拓荆科技有限公司	当前权利人	沈阳拓荆科技有限公司
发明人	吕欣
代理机构	沈阳维特专利商标事务所（普通合伙）	代理人	甄玉荃

摘要

一种半导体设备等离子腔体用电子匹配器，它包括N个固定电容。上述电容串联，并连接于射频电源与等离子体设备腔体之间，射频电源连接到一个固定电容的输入端；选择一固定电感，固定电感的一端接地，固定电感的另一端接到射频电源一侧，或者接到等离子体设备腔体一侧。所述射频电源与固定电容之间连接一系列继电器；所述固定电容与继电器至少两个。本发明设计科学、结构合理，所有电子元器件均为固定式，并且最大限度的利用每个元器件，易于控制，成本低。可以简单、可靠的实现等离子体设备的阻抗匹配。最大限度地降低设备的制造成本和维护成本。可广泛地应用在半导体设备技术领域中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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