一种化学机械抛光液

发明专利无效专利

申请号：
CN200310105203.9
IPC分类号：C09G1/02
申请日期：
2003-11-26
申请人：
中国科学院金属研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种化学机械抛光液
申请号	CN200310105203.9	申请日期	2003-11-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-01	公开/公告号	CN1621469
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09G1/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09G 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 C09G1/00 抛光组合物（虫胶清漆入C09F 11/00；洗涤剂入C11D） C09G1/02 含有磨料或研磨剂	IPC分类号	C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	张劲松;梁艳;张军旗
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	许宗富;周秀梅

摘要

本发明属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术，具体公开一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。它以球形纳米介孔粉体为磨料，按重量百分比计，其成份包括3～30球形纳米介孔粉体为磨料，0.01～12分散稳定剂，0.01～12表面处理剂，同时加入pH调节剂至pH值为8.5～12.5，余量的高纯去离子水。本发明利用该磨料富含的表面羟基及其在水溶液中优异的单分散性，用于IC加工过程中对层间介质的全局平面化抛光，避免了对抛光表面的亚微米划伤，平整度高、易清洗，抛光速率高。可用于超大规模集成电路制作工艺中的CMP精抛过程以及其他光学材料的精密抛光。

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