选择性自参考读取

发明专利有效专利

申请号：
CN201810528567.4
IPC分类号：G11C11/16;G11C29/02
申请日期：
2014-02-27
申请人：
美光科技公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	选择性自参考读取
申请号	CN201810528567.4	申请日期	2014-02-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-30	公开/公告号	CN108717858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;G;1;1;C;2;9;/;0;2查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	韦恩·肯尼;古尔特杰·S·桑胡
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

本发明涉及选择性自参考读取。具体而言，本发明涉及选择性地执行从存储器的具有增加的准确度的读取，例如自参考读取。在一个方面中，从存储器阵列的例如磁阻式随机存取存储器MRAM单元的存储器单元读取数据。响应于检测到与从所述存储器单元的读取相关联的条件，可执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取。举例来说，所述条件可指示从所述存储器单元读取的数据不可经由错误校正码ECC的解码校正。与总是执行自参考读取相比，选择性地执行自参考读取可减少与从所述存储器的读取相关联的电力消耗及/或等待时间。

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