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涂布的基底及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680043129.4
  • IPC分类号:H01L21/312;H01L51/52;C08J7/04
  • 申请日期:
    2006-09-18
  • 申请人:
    陶氏康宁公司;陶氏康宁东丽株式会社
著录项信息
专利名称涂布的基底及其制备方法
申请号CN200680043129.4申请日期2006-09-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-11-26公开/公告号CN101313392
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/312
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;C;0;8;J;7;/;0;4查看分类表>
申请人陶氏康宁公司;陶氏康宁东丽株式会社申请人地址
美国密执安 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陶氏康宁公司,陶氏康宁东丽株式会社当前权利人陶氏康宁公司,陶氏康宁东丽株式会社
发明人J·D·阿尔鲍;M·阿莫考;R·C·卡米莱蒂;D·乔伊;W·韦德纳;L·赞伯夫
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人张钦
摘要
含无机阻挡涂层和界面涂层的涂布的基底,其中该界面涂层包含具有与硅键合的辐射敏感的基团的固化产物;和制备该涂布的基底的方法。

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