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一种横向IGBT

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610344066.1
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40
  • 申请日期:
    2016-05-20
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种横向IGBT
申请号CN201610344066.1申请日期2016-05-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106024873A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人罗小蓉;邓高强;周坤;吴俊峰;张彦辉
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人葛启函
摘要
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种横向IGBT。本发明的横向IGBT器件,其技术方案是:SOI层上层两端分别具有P型阱区和N型阱区;N型阱区表面远离P型阱区的一端具有P型阳极区,P型阱区表面远离N型阱区的一端具有相互独立的P型体接触区和N型阴极区,N型阴极区位于靠近N型阱区的一侧;由P型体接触区和N型阴极区引出阴极电极;其特征在于,在靠近器件阴极一侧引入隔离槽,隔离槽沿器件纵向方向有开口,且隔离槽由位于槽内壁的介质层和由介质层包围的导电材料构成,其侧壁与P型阱区中的N型阴极区接触形成槽栅结构,所述P型体接触区和N型阴极区沿器件纵向方向均分为两段,两段之间有间距,并沿器件的横向中线呈对称结构。

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