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保护膜组合物及使用保护膜组合物制造半导体封装的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910101169.9
  • IPC分类号:C09D133/10;C09D133/14;H01L27/146
  • 申请日期:
    2019-01-31
  • 申请人:
    三星电子株式会社;株式会社东进世美肯
著录项信息
专利名称保护膜组合物及使用保护膜组合物制造半导体封装的方法
申请号CN201910101169.9申请日期2019-01-31
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-08-13公开/公告号CN110117445A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09D133/10IPC分类号C;0;9;D;1;3;3;/;1;0;;;C;0;9;D;1;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人三星电子株式会社;株式会社东进世美肯申请人地址
韩国京畿道水原市灵通区三星路129号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社,株式会社东进世美肯当前权利人三星电子株式会社,株式会社东进世美肯
发明人严明彻;李惠卿;姜昌根;金宰贤;吴敬日;吴承根;李治焕
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人刘培培;黄隶凡
摘要
一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物:a、b及c中的每一者为摩尔分数;a+b+c=1;0.05≤a/(a+b+c)≤0.3;0.1≤b/(a+b+c)≤0.6;0.1≤c/(a+b+c)≤0.6;R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基;R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基;且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括:使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜;以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。

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