失效检测方法以及失效检测装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200910194791.5
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/00;G01R31/02
申请日期：
2009-08-28
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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著录项信息

专利名称	失效检测方法以及失效检测装置
申请号	CN200910194791.5	申请日期	2009-08-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-06	公开/公告号	CN102005400A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;G;0;1;R;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人	龚斌;郭强
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种失效检测方法以及失效检测装置，用于检测两个待测导电体之间的桥接缺陷，所述方法包括：在两个待测导电体上各设置一个输出端，且所述两个输出端电势位相等；向任一所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点依次输入恒定的检测电流；检测两个输出端的输出电流，基于各检测点的位置信息以及两个输出端的输出电流信息，建立输出端的输出电流与检测点位置之间的对应关系；据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明能有效检测并定位半导体器件中的金属互连线之间的桥接缺陷，并提升缺陷定位的灵敏度和精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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