半导体装置、半导体驻极体电容话筒及其制造方法

发明专利无效专利

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置、半导体驻极体电容话筒及其制造方法
申请号	CN00128754.0	申请日期	2000-09-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-03-28	公开/公告号	CN1289220
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社;星电株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社,星电株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社,星电株式会社
发明人	大川重明;大古田敏幸;大林义昭;安田护;佐伯真一;大泽周治
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动，同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12，在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出，电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供