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芯片背面复合材料多层金属化结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201020128627.2
  • IPC分类号:H01L23/48
  • 申请日期:
    2010-03-04
  • 申请人:
    江阴新顺微电子有限公司
著录项信息
专利名称芯片背面复合材料多层金属化结构
申请号CN201020128627.2申请日期2010-03-04
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/48IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人江阴新顺微电子有限公司申请人地址
江苏省江阴市滨江中路275号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江阴新顺微电子有限公司当前权利人江阴新顺微电子有限公司
发明人王新潮;冯东明;叶新民;王文源;周晓明
代理机构江阴市同盛专利事务所代理人唐纫兰
摘要
本实用新型涉及一种芯片背面复合材料多层金属化结构,属集成电路或分立器件制造技术领域。所述结构自上至下依次由硅衬底层(1)、金-硅共溶层(2)、金接触层(3)、阻挡层(4)和金属保护层(5)共五层复合而成,所述阻挡层(4)材料为锡铜合金,金属保护层(5)材料为锡或铜或银或金。本实用新型的有益效果是:本实用新型利用金-硅共溶层合金效果降低芯片内部残余应力,整体金属化结构采用多层金属分布减少贵重材料消耗,利于大规模生产制造。

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