一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810086772.X
IPC分类号：H01L23/532;H01L21/768;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35
申请日期：
2018-01-30
申请人：
上海电机学院

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专利名称	一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层的制备方法
申请号	CN201810086772.X	申请日期	2018-01-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-07-27	公开/公告号	CN108336062A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/532 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/532 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	上海电机学院	申请人地址	上海市闵行区江川路690号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海电机学院	当前权利人	上海电机学院
发明人	李荣斌;蒋春霞;乔帮威;张静;尚海龙;张如林
代理机构	上海伯瑞杰知识产权代理有限公司	代理人	胡永宏

摘要

本发明是半导体集成电路技术领域，尤其涉及到一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法。一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层，自下而上依次包括Si基体层、高熵合金中间涂层和Cu膜，所述高熵合金中间涂层自下而上依次包括第三涂层、第二涂层以及第一涂层，所述第一涂层为AlCrTaTiZrMo高熵合金涂层，所述第二涂层为纯Ti涂层，所述第三涂层为AlCrTaTiZrMoNx高熵合金涂层。本发明有利于提高原子的堆积密度，减少空位等缺陷的产生，减少了原子的扩散通道，提高了高熵合金涂层的扩散阻挡性能和热稳定性。

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